Récepteur Epi-SiC

Semicorex Epi-SiC Susceptor, à la confluence d'une endurance à haute température, d'une inertie chimique et d'une diffusion thermique supérieure, il se présente comme un modèle de résilience et d'efficacité face aux conditions intensives synonymes des efforts de croissance épitaxiale. L'application d'un revêtement SiC augmente considérablement les attributs thermiques du suscepteur Epi-SiC. Cette amélioration facilite la répartition thermique uniforme essentielle au chauffage des tranches, essentielle au dépôt de couches épitaxiales cohérentes et de haute qualité sur les tranches semi-conductrices.

Conçu sur mesure pour répondre aux exigences rigoureuses des processus d’épitaxie des tranches, le suscepteur Epi-SiC soutient le transport fluide des tranches dans l’environnement du four. Sa conception robuste constitue un rempart contre le déplacement ou la compromission des plaquettes, atténuant ainsi l'incidence des dommages tout au long des étapes critiques du développement de la couche épitaxiale. De plus, le suscepteur Epi-SiC agit comme une barrière protectrice pour le substrat en graphite situé en dessous, le protégeant des interactions chimiques et de l'abrasion que les processus épitaxiaux pourraient induire.

La fusion d'un noyau en graphite résilient avec un revêtement protecteur SiC renforce non seulement les performances du suscepteur Epi-SiC, mais prolonge également considérablement sa durée de vie. Le résultat est un investissement qui rapporte des dividendes sous la forme d'économies opérationnelles durables pour les entreprises de production de semi-conducteurs, positionnant le suscepteur Epi-SiC comme un choix judicieux pour ceux qui cherchent à optimiser leurs opérations de fabrication.