Composant d'épitaxie

Le composant d'épitaxie Semicorex est une pièce en graphite à revêtement SiC haute performance conçue spécifiquement pour être utilisée dansRéacteurs LPE, servant de pièce de transition critique dans le LPE pour le processus de croissance épitaxiale du carbure de silicium (SiC). Ce composant innovant joue un rôle essentiel dans l’amélioration de l’efficacité et de la qualité de la croissance des cristaux SiC, essentielles pour un large éventail d’applications, notamment l’électronique de puissance, les capteurs haute température et les dispositifs semi-conducteurs avancés.

Construit à partir de graphite de haute pureté et recouvert d'une couche durable de carbure de silicium, le composant épitaxie combine une excellente conductivité thermique avec une résistance mécanique exceptionnelle. LeRevêtement SiCaméliore non seulement la résistance chimique du composant, mais offre également une stabilité thermique supérieure, ce qui le rend idéal pour les conditions exigeantes des processus LPE. Notre processus de fabrication méticuleux garantit une épaisseur de revêtement uniforme et une performance constante, permettant un contrôle précis pendant la croissance des cristaux.

Le composant d'épitaxie est conçu pour faciliter une dynamique des fluides optimale dans le réacteur, garantissant une répartition uniforme du matériau de croissance. Sa conception innovante minimise les turbulences et améliore le transport de masse, conduisant à une couche de SiC plus uniforme et sans défauts. Ceci est essentiel dans les applications où la qualité des cristaux a un impact direct sur les performances de l'appareil.

Epitaxie SiCest de plus en plus important dans l'industrie des semi-conducteurs, en particulier pour les dispositifs de puissance fonctionnant à des tensions et des températures élevées. Le composant d'épitaxie est un élément essentiel de ce processus, permettant aux fabricants de produire des plaquettes SiC de haute qualité qui répondent aux exigences rigoureuses des applications électroniques modernes. Avec le marché croissant des véhicules électriques, des systèmes d'énergie renouvelable et du calcul haute performance, la demande de substrats SiC fiables continue d'augmenter.

L'efficacité du composant d'épitaxie est prouvée dans diverses configurations LPE, où ses performances contribuent de manière significative au rendement global et à la qualité des cristaux SiC. En fournissant une interface de transition stable entre les différents matériaux dans le réacteur, ce composant améliore la fiabilité globale du processus, réduisant les temps d'arrêt et augmentant le débit.