Support de plaquette d'épitaxie

Applicationications :Le support de plaquette d'épitaxie, développé par Semicorex, est spécialement conçu pour être utilisé dans divers processus avancés de fabrication de semi-conducteurs. Ces transporteurs conviennent parfaitement aux environnements tels que :

Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) :Dans les processus PECVD, le support de plaquette d'épitaxie est essentiel pour la manipulation des substrats pendant le processus de dépôt de couches minces, garantissant une qualité et une uniformité constantes.

Epitaxie Silicium et SiC :Pour les applications d'épitaxie de silicium et de SiC, où de fines couches sont déposées sur des substrats pour former des structures cristallines de haute qualité, le support de plaquette d'épitaxie maintient sa stabilité dans des conditions thermiques extrêmes.

Unitéés de dépôt chimique en phase vapeur métal-organique (MOCVD) :Utilisées pour fabriquer des dispositifs à semi-conducteurs composés tels que les LED et l'électronique de puissance, les unités MOCVD nécessitent des supports capables de supporter les températures élevées et les environnements chimiques agressifs inhérents au processus.

Avantages :

Performances stables et uniformes à haute température :

La combinaison de graphite isotrope et de revêtement en carbure de silicium (SiC) offre une stabilité thermique et une uniformité exceptionnelles à haute température. Le graphite isotrope offre des propriétés constantes dans toutes les directions, ce qui est crucial pour garantir des performances fiables dans le support de plaquette d'épitaxie utilisé sous contrainte thermique. Le revêtement SiC contribue à maintenir une répartition thermique uniforme, à éviter les points chauds et à garantir la fiabilité du support sur des périodes prolongées.

Résistance à la corrosion améliorée et durée de vie prolongée des composants :

Le revêtement SiC, avec sa structure cristalline cubique, donne lieu à une couche de revêtement haute densité. Cette structure améliore considérablement la résistance du support de plaquette d'épitaxie aux gaz corrosifs et aux produits chimiques généralement rencontrés dans les processus PECVD, épitaxie et MOCVD. Le revêtement SiC dense protège le substrat en graphite sous-jacent de la dégradation, prolongeant ainsi la durée de vie du support et réduisant la fréquence des remplacements.

Épaisseur et couverture optimales du revêtement :

Semicorex utilise une technologie de revêtement qui garantit une épaisseur de revêtement SiC standard de 80 à 100 µm. Cette épaisseur est optimale pour atteindre un équilibre entre protection mécanique et conductivité thermique. La technologie garantit que toutes les zones exposées, y compris celles présentant des géométries complexes, sont uniformément recouvertes, conservant ainsi une couche protectrice dense et continue, même dans les éléments petits et complexes.

Adhérence supérieure et protection contre la corrosion :

En infiltrant la couche supérieure de graphite avec un revêtement SiC, l'Epitaxy Wafer Carrier permet d'obtenir une adhésion exceptionnelle entre le substrat et le revêtement. Cette méthode garantit non seulement que le revêtement reste intact sous contrainte mécanique, mais améliore également la protection contre la corrosion. La couche de SiC étroitement liée agit comme une barrière, empêchant les gaz réactifs et les produits chimiques d'atteindre le noyau de graphite, maintenant ainsi l'intégrité structurelle du support lors d'une exposition prolongée à des conditions de traitement difficiles.

Capacité à recouvrir des géométries complexes :

La technologie de revêtement avancée utilisée par Semicorex permet l'application uniforme du revêtement SiC sur des géométries complexes, telles que de petits trous borgnes d'un diamètre aussi petit que 1 mm et d'une profondeur supérieure à 5 mm. Cette capacité est essentielle pour garantir la protection complète du support de plaquette d'épitaxie, même dans les zones traditionnellement difficiles à recouvrir, empêchant ainsi la corrosion et la dégradation localisées.

Interface de revêtement SiC de haute pureté et bien définie :

Pour le traitement de plaquettes en silicium, saphir, carbure de silicium (SiC), nitrure de gallium (GaN) et d'autres matériaux, la grande pureté de l'interface du revêtement SiC constitue un avantage clé. Ce revêtement de haute pureté du support de plaquette d'épitaxie empêche la contamination et maintient l'intégrité des plaquettes pendant le traitement à haute température. L'interface bien définie garantit que la conductivité thermique est maximisée, permettant un transfert de chaleur efficace à travers le revêtement sans aucune barrière thermique significative.

Fonctionne comme une barrière de diffusion :

Le revêtement SiC du Epitaxy Wafer Carrier sert également de barrière de diffusion efficace. Il empêche l'absorption et la désorption des impuretés du matériau graphite sous-jacent, maintenant ainsi un environnement de traitement propre. Ceci est particulièrement important dans la fabrication de semi-conducteurs, où même des niveaux infimes d’impuretés peuvent avoir un impact significatif sur les caractéristiques électriques du produit final.