Support d'épitaxie GaN

Le support d'épitaxie Semicorex GaN excelle dans le transport sécurisé des tranches dans le four tout en étant conçu pour les processus d'épitaxie des tranches. Le support d'épitaxie GaN est crucial pour obtenir des films minces et des couches épitaxiales reproductibles de haute qualité, nécessaires à la production de dispositifs électroniques et optoélectroniques avancés.

Le substrat en graphite du GaN Epitaxy Carrier est amélioré par un revêtement de pointe en carbure de silicium (SiC) par dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Cette couche de SiC est méticuleusement appliquée par dépôt chimique en phase vapeur, offrant une protection robuste contre les réactions chimiques et l'usure pendant le processus d'épitaxie. De plus, le revêtement SiC du support d'épitaxie GaN améliore les propriétés thermiques du support, facilitant un chauffage efficace et uniforme des tranches. Un tel chauffage uniforme est essentiel pour produire des couches épitaxiales cohérentes et de haute qualité sur des tranches semi-conductrices.

Personnalisable pour s'adapter à une variété de tailles de tranches de semi-conducteurs, le support d'épitaxie Semicorex GaN est une solution polyvalente pour divers besoins de production. Que des tailles, formes ou épaisseurs de revêtement spécifiques soient requises, notre équipe collabore avec les clients pour développer une solution qui répond à leurs spécifications précises et optimise les performances pour leurs applications uniques.