Carrier de graphite pour réacteurs épitaxiaux

Le transporteur de graphite semicoréx pour les réacteurs épitaxiaux est un composant d'ingénierie pour le dépôt épitaxial pour la fabrication de semi-conducteurs. Ce support de graphite est fait de graphite de haute pureté et enduit uniformément de SiC. Ce transporteur est livré avec plusieurs avantages réduisant la responsabilité, l'usure et la déchirure, et offrant une meilleure stabilité chimique dans des environnements corrosifs et également à des températures élevées. La micro-porosité dense inférieure sur la surface inférieure fournit des distributions de gaz uniformes à travers la surface de la plaquette pendant la croissance qui doit être suffisamment exacte pour produire des couches de cristaux libres de défaut.

Le support enduit SIC est axé sur les réacteurs épitaxiaux horizontaux ou verticaux, que ce soit un lot ou une plaquette unique. Le revêtement en carbure de silicium protège le graphite, les noms ED améliore la résistance à la gravure, est résistant à l'oxydation, et également le choc thermique par rapport au graphite non enduit révolutionnant les opérateurs d'approche doivent / investis en utilisant un temps monumental gaspillé en faisant un entretien / remplaçant extensif par le support avec moins de durée de vie intermédiaire à chaque phase du cycle thermique; accélérer la maintenance en provenance du seau ou des polymères réputés RK baissés capables avec le porteur avec peut-être être remplacé une fois comme tout le reste; pour maximiser l'efficacité opérationnelle à la place prénatale ou par maintenance prévue.

Le substrat de graphite de base est fabriqué à partir de grains à ultra-fin et à haute densité, offrant une stabilité mécanique intégrée et une stabilité dimensionnelle sous une charge thermique extrême. Un revêtement SIC fixe et précis peut être ajouté à la couche de carbone en utilisant le dépôt de vapeur chimique (CVD), qui fournit ensemble une couche de surface haute densité, lisse, tranchante et sans trou avec une forte liaison de surface. Cela peut signifier une bonne compatibilité avec les gaz de processus et l'état des réacteurs, ainsi qu'une contamination réduite et moins de particules qui peuvent affecter le rendement de la tranche.

L'emplacement, l'espacement et la structure de micro-trou au bas du support sont prévus pour favoriser le débit de gaz le plus efficace et le plus uniforme de la base du réacteur à travers les perforations du porte-graphite aux plaquettes au-dessus. Un flux de gaz uniforme de la base du réacteur peut modifier considérablement le contrôle des processus de l'épaisseur de la couche et des profils de dopage chez les porteurs de graphite pour les processus de croissance épitaxiale, en particulier dans les semi-conducteurs à composé gazeux comme le sic ou le GAN où la précision et la répétabilité sont cruciales. De plus, la spécification de la densité et du modèle de perforation est hautement personnalisable, définie par la conception du réacteur de chaque société, et la structure de perforation est basée sur les spécifications du processus.

Les transporteurs de graphite semicoréx sont conçus et fabriqués avec les rigueurs de l'environnement de processus épitaxial à l'esprit. Semicorex offre une personnalisation pour toutes les tailles, les modèles de trous et les épaisseurs enduites pour s'intégrer de manière transparente dans votre équipement existant. Notre capacité interne à fabriquer des transporteurs et un contrôle de qualité exigeant assurent des performances précises et reproductibles, des solutions de haute pureté et une fiabilité qui est demandée par les principaux fabricants de semi-conducteurs d'aujourd'hui.