Support de plaquette de gravure ICP

Le support de tranche de gravure ICP de Semicorex est la solution parfaite pour les processus de manipulation de tranches à haute température tels que l'épitaxie et le MOCVD. Avec une résistance stable à l'oxydation à haute température allant jusqu'à 1 600 °C, nos supports garantissent des profils thermiques uniformes, des modèles d'écoulement de gaz laminaire et empêchent la contamination ou la diffusion d'impuretés.

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Description du produit

Vous recherchez un fournisseur fiable de supports de plaquettes pour votre équipement d'épitaxie ? Ne cherchez pas plus loin que Semicorex. Notre support de plaquette de gravure ICP est spécialement conçu pour les environnements de nettoyage chimique difficiles et à haute température. Dotés d'un fin revêtement cristallin SiC, nos supports offrent une résistance thermique supérieure, une uniformité thermique uniforme et une résistance chimique durable.
Notre support de plaquette de gravure ICP est conçu pour obtenir le meilleur schéma de flux de gaz laminaire, garantissant ainsi l'uniformité du profil thermique. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés, garantissant ainsi une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce.
Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre support de plaquette de gravure ICP.

Paramètres du support de plaquette de gravure ICP

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure cristalline	Phase β du FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille des grains	µm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J kg-1 K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force de flexion	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (courbure 4pt, 1300℃)	430
Expansion thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300