Système de gravure au plasma ICP

Obtenez des processus d'épitaxie et de MOCVD de la plus haute qualité avec le support revêtu de SiC de Semicorex pour le système de gravure au plasma ICP. Notre produit est conçu spécifiquement pour ces processus, offrant une résistance supérieure à la chaleur et à la corrosion. Notre revêtement en cristal SiC fin offre une surface propre et lisse, permettant une manipulation optimale des plaquettes.
Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre support revêtu de SiC pour le système de gravure au plasma ICP.

Paramètres du support revêtu de SiC pour le système de gravure au plasma ICP

Caractéristiques du support revêtu de SiC pour le système de gravure au plasma ICP

- Éviter le décollement et assurer le revêtement sur toutes les surfaces

Résistance à l'oxydation à haute température : Stable à haute température jusqu'à 1600°C

Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température.

Résistance à la corrosion : dureté élevée, surface dense et particules fines.

Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.

- Obtenez le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire

- Garantir l'uniformité du profil thermique

- Empêcher toute contamination ou diffusion d'impuretés