Système de gravure au plasma ICP

Le support à revêtement SiC de Semicorex pour le système de gravure plasma ICP est une solution fiable et rentable pour les processus de manipulation de plaquettes à haute température tels que l'épitaxie et le MOCVD. Nos supports sont dotés d'un fin revêtement cristallin SiC qui offre une résistance thermique supérieure, une uniformité thermique uniforme et une résistance chimique durable.

envoyer une demande

Description du produit

Obtenez des processus d'épitaxie et MOCVD de la plus haute qualité avec le support à revêtement SiC de Semicorex pour le système de gravure au plasma ICP. Notre produit est conçu spécifiquement pour ces processus, offrant une résistance supérieure à la chaleur et à la corrosion. Notre fin revêtement cristallin SiC offre une surface propre et lisse, permettant une manipulation optimale des plaquettes.
Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre support à revêtement SiC pour le système de gravure au plasma ICP.

Paramètres du support revêtu de SiC pour le système de gravure au plasma ICP

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure cristalline	Phase β du FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille des grains	µm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J kg-1 K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force de flexion	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (courbure 4pt, 1300℃)	430
Expansion thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300