Le plateau de gravure plasma ICP de Semicorex est conçu spécifiquement pour les processus de manipulation de plaquettes à haute température tels que l'épitaxie et le MOCVD. Avec une résistance stable à l'oxydation à haute température allant jusqu'à 1 600 °C, nos supports offrent des profils thermiques uniformes, des modèles d'écoulement de gaz laminaire et empêchent la contamination ou la diffusion d'impuretés.
Notre plateau de gravure au plasma ICP est recouvert de carbure de silicium selon la méthode CVD, ce qui constitue la solution idéale pour les processus de manipulation de plaquettes qui nécessitent un nettoyage chimique agressif et à haute température. Les supports Semicorex sont dotés d'un fin revêtement cristallin de SiC qui fournit des profils thermiques uniformes, des modèles d'écoulement de gaz laminaire et empêche la contamination ou la diffusion d'impuretés.
Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de produits rentables et de haute qualité à nos clients. Notre plateau de gravure plasma ICP présente un avantage de prix et est exporté vers de nombreux marchés européens et américains. Nous visons à être votre partenaire à long terme, en fournissant des produits de qualité constante et un service client exceptionnel.
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Paramètres du plateau de gravure au plasma ICP
Principales spécifications du revêtement CVD-SIC |
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Propriétés SiC-CVD |
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Structure cristalline |
Phase β du FCC |
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Densité |
g/cm³ |
3.21 |
Dureté |
Dureté Vickers |
2500 |
Taille des grains |
µm |
2~10 |
Pureté chimique |
% |
99.99995 |
Capacité thermique |
J kg-1 K-1 |
640 |
Température de sublimation |
℃ |
2700 |
Force de flexion |
MPa (RT 4 points) |
415 |
Module de Young |
Gpa (courbure 4pt, 1300℃) |
430 |
Expansion thermique (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Conductivité thermique |
(W/mK) |
300 |
Caractéristiques du plateau de gravure au plasma ICP
- Éviter de se décoller et assurer un revêtement sur toutes les surfaces
Résistance à l'oxydation à haute température : Stable à haute température jusqu'à 1600°C
Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température.
Résistance à la corrosion : dureté élevée, surface dense et particules fines.
Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
- Obtenez le meilleur modèle de flux de gaz laminaire
- Garantir la régularité du profil thermique
- Empêcher toute contamination ou diffusion d'impuretés