Plateau de gravure au plasma ICP

Notre plateau de gravure au plasma ICP est recouvert de carbure de silicium selon la méthode CVD, qui est la solution idéale pour les processus de manipulation de tranches qui nécessitent un nettoyage chimique agressif et à haute température. Les supports de Semicorex sont dotés d'un revêtement en cristal SiC fin qui fournit des profils thermiques uniformes, des modèles d'écoulement de gaz laminaire et empêche la contamination ou la diffusion des impuretés.
Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de produits de haute qualité et rentables à nos clients. Notre plateau de gravure plasma ICP a un prix avantageux et est exporté vers de nombreux marchés européens et américains. Nous visons à être votre partenaire à long terme, offrant des produits de qualité constante et un service client exceptionnel.
Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre plateau de gravure au plasma ICP.

Paramètres du plateau de gravure au plasma ICP

Caractéristiques du plateau de gravure au plasma ICP

- Éviter le décollement et assurer le revêtement sur toutes les surfaces

Résistance à l'oxydation à haute température : Stable à haute température jusqu'à 1600°C

Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température.

Résistance à la corrosion : dureté élevée, surface dense et particules fines.

Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.

- Obtenez le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire

- Garantir l'uniformité du profil thermique

- Empêcher toute contamination ou diffusion d'impuretés