Récepteur d'épitaxie MOCVD

Avantages pour les applications d’épitaxie exigeantes :

Ultra-haute pureté :Le Le suscepteur d'épitaxie MOCVD est conçu pour atteindre des niveaux de pureté ultra-élevés, minimisant ainsi le risque d'incorporation d'impuretés indésirables dans les couches épitaxiales en croissance. Cette pureté exceptionnelle est cruciale pour maintenir une mobilité élevée des porteurs, obtenir des profils de dopage optimaux et, à terme, réaliser des dispositifs semi-conducteurs hautes performances.

Résistance exceptionnelle aux chocs thermiques :Le suscepteur d'épitaxie MOCVD présente une résistance remarquable aux chocs thermiques, résistant aux changements rapides de température et aux gradients inhérents au processus MOCVD. Cette stabilité garantit des performances constantes et fiables pendant les phases critiques de chauffage et de refroidissement, minimisant ainsi le risque de courbure des plaquettes, de défauts induits par les contraintes et d'interruptions de processus.

Résistance chimique supérieure :Le suscepteur d'épitaxie MOCVD démontre une résistance exceptionnelle à une large gamme de gaz réactifs et de produits chimiques utilisés dans le MOCVD, y compris les sous-produits corrosifs qui peuvent se former à des températures élevées. Cette inertie empêche la contamination des couches épitaxiales et garantit la pureté du matériau semi-conducteur déposé, essentielle pour obtenir les propriétés électriques et optiques souhaitées.

Disponibilité en Complètex Formes : Le suscepteur d'épitaxie MOCVD peut être usiné avec précision dans des formes et géométries complexes pour optimiser la dynamique du flux de gaz et l'uniformité de la température au sein du réacteur MOCVD. Cette capacité de conception personnalisée permet un chauffage uniforme des tranches de substrat, minimisant ainsi les variations de température qui peuvent conduire à une croissance épitaxiale et à des performances du dispositif incohérentes.