Cible planaire en silicium monocristallin

Silicium monocristallinla cible planaire est généralement traitée par un équipement de découpe de haute précision à partir de lingots de silicium monocristallin fabriqués par la méthode Czochralski. Pour répondre à la diversification des besoins des clients, la cible planaire en silicium monocristallin peut être découpée dans les formes souhaitées pour vos clients estimés. La technologie précise de traitement de meulage et de polissage garantit la superbe planéité de la surface du matériau cible, offrant ainsi une forte garantie pour le dépôt de films minces.

La cible planaire en silicium monocristallin est placée à l'intérieur dans une chambre de réaction sous vide avec le substrat à revêtir pendant le processus de dépôt du film. Lorsque la cible planaire en silicium monocristallin est bombardée par des ions à haute énergie, les atomes de silicium à sa surface sont pulvérisés. Ces atomes de silicium pulvérisés migrent ensuite et se déposent sur la surface du substrat, formant finalement un film mince de silicium.

La cible planaire en silicium monocristallin sert de source de matériau pour le dépôt de couches minces. Tous les atomes de silicium déposés sur la surface de la tranche proviennent de cibles planaires en silicium monocristallin. Par conséquent, la qualité de la cible planaire en silicium monocristallin détermine directement la pureté, l’uniformité et d’autres propriétés clés du film mince déposé.

La superbe caractéristique de pureté confère à la cible planaire en silicium monocristallin la capacité d'empêcher les impuretés de contaminer le film mince. Cela améliore considérablement les performances électriques des dispositifs semi-conducteurs. L’amélioration de l’uniformité et de l’adhésion des films minces bénéficie de sa structure cristalline hautement ordonnée, qui permet aux particules de pulvérisation cathodique de migrer et de se déposer plus régulièrement sur la surface de la tranche. La conception de la structure planaire convient aux exigences de pulvérisation sur de grandes surfaces et à grande vitesse, et s'applique aux scénarios de production à grande échelle tels que les tranches de semi-conducteurs et les panneaux d'affichage.