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Substrat GaN sur SiC

Substrat GaN sur SiC

Suscepteur en graphite Semicorex spécialement conçu pour les équipements d'épitaxie à haute résistance à la chaleur et à la corrosion en Chine. Nos suscepteurs de substrat GaN-sur-SiC ont un bon avantage de prix et couvrent de nombreux marchés européens et américains. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Suscepteurs pour réacteurs MOCVD

Suscepteurs pour réacteurs MOCVD

Les suscepteurs de Semicorex pour réacteurs MOCVD sont des produits de haute qualité utilisés dans l'industrie des semi-conducteurs pour diverses applications telles que les couches de carbure de silicium et les semi-conducteurs d'épitaxie. Notre produit est disponible en forme d'engrenage ou d'anneau et est conçu pour obtenir une résistance à l'oxydation à haute température, ce qui le rend stable à des températures allant jusqu'à 1600°C.

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Voulez-vous acheter Gan-On-SiC-Hemt avancé et durable ? Semicorex est certainement votre bon choix. Nous sommes reconnus comme l'un des fabricants et fournisseurs Gan-On-SiC-Hemt les plus compétitifs en Chine. Nous fournissons également des emballages en vrac. Vous pouvez avoir besoin de services personnalisés pour répondre aux besoins réels de votre région, vous pouvez nous laisser un message via les informations de contact sur la page Web. Nous invitons sincèrement les nouveaux et anciens clients à visiter notre usine pour consultation et négociation.
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