Maison > Des produits > Revêtement en carbure de silicium > Suscepteur MOCVD > Suscepteurs pour réacteurs MOCVD
Suscepteurs pour réacteurs MOCVD

Suscepteurs pour réacteurs MOCVD

Les suscepteurs de Semicorex pour réacteurs MOCVD sont des produits de haute qualité utilisés dans l'industrie des semi-conducteurs pour diverses applications telles que les couches de carbure de silicium et les semi-conducteurs d'épitaxie. Notre produit est disponible en forme d'engrenage ou d'anneau et est conçu pour obtenir une résistance à l'oxydation à haute température, ce qui le rend stable à des températures allant jusqu'à 1600°C.

envoyer une demande

Description du produit

Nos suscepteurs pour réacteurs MOCVD sont fabriqués par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température, garantissant une grande pureté. La surface du produit est dense, avec des particules fines et une dureté élevée, ce qui le rend résistant à la corrosion par les acides, les alcalis, le sel et les réactifs organiques.
Nos suscepteurs pour réacteurs MOCVD sont conçus pour assurer un revêtement sur toutes les surfaces, en évitant le pelage et en obtenant le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire. Le produit garantit l'uniformité du profil thermique et empêche toute contamination ou diffusion d'impuretés pendant le processus, garantissant des résultats de haute qualité.
Chez Semicorex, nous donnons la priorité à la satisfaction du client et fournissons des solutions rentables. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme, offrant des produits de haute qualité et un service client exceptionnel.


Paramètres des suscepteurs pour les réacteurs MOCVD

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD

Structure en cristal

Phase β FCC

Densité

g/cm³

3.21

Dureté

Dureté Vickers

2500

Taille d'un grain

μm

2~10

Pureté chimique

%

99.99995

Capacité thermique

J·kg-1 ·K-1

640

Température de sublimation

2700

Force Felexurale

MPa (RT 4 points)

415

Module de Young

Gpa (pli 4pt, 1300â)

430

Dilatation Thermique (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivité thermique

(W/mK)

300


Caractéristiques du suscepteur en graphite revêtu de SiC pour MOCVD

- Éviter le décollement et assurer le revêtement sur toutes les surfaces
Résistance à l'oxydation à haute température : Stable à haute température jusqu'à 1600°C
Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température.
Résistance à la corrosion : dureté élevée, surface dense et particules fines.
Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
- Obtenez le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire
- Garantir l'uniformité du profil thermique
- Empêcher toute contamination ou diffusion d'impuretés




Balises actives: Suscepteurs pour réacteurs MOCVD, Chine, fabricants, fournisseurs, usine, personnalisés, en vrac, avancés, durables

Catégorie associée

envoyer une demande

N'hésitez pas à faire votre demande dans le formulaire ci-dessous. Nous vous répondrons dans les 24 heures.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept