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Suscepteurs pour les réacteurs MOCVD

Suscepteurs pour les réacteurs MOCVD

Les suscepteurs de Semicorex pour réacteurs MOCVD sont des produits de haute qualité utilisés dans l'industrie des semi-conducteurs pour diverses applications telles que les couches de carbure de silicium et les semi-conducteurs d'épitaxie. Notre produit est disponible sous forme d'engrenage ou d'anneau et est conçu pour atteindre une résistance à l'oxydation à haute température, le rendant stable à des températures allant jusqu'à 1 600 °C.

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Description du produit

Nos suscepteurs pour réacteurs MOCVD sont fabriqués par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température, garantissant une grande pureté. La surface du produit est dense, avec des particules fines et une dureté élevée, ce qui le rend résistant à la corrosion aux réactifs acides, alcalins, salins et organiques.
Nos suscepteurs pour réacteurs MOCVD sont conçus pour garantir un revêtement sur toutes les surfaces, en évitant le décollement et en obtenant le meilleur modèle de flux de gaz laminaire. Le produit garantit l'uniformité du profil thermique et empêche toute contamination ou diffusion d'impuretés pendant le processus, garantissant ainsi des résultats de haute qualité.
Chez Semicorex, nous accordons la priorité à la satisfaction du client et fournissons des solutions rentables. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme, en fournissant des produits de haute qualité et un service client exceptionnel.


Paramètres des suscepteurs pour les réacteurs MOCVD

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD

Structure cristalline

Phase β du FCC

Densité

g/cm³

3.21

Dureté

Dureté Vickers

2500

Taille des grains

µm

2~10

Pureté chimique

%

99.99995

Capacité thermique

J kg-1 K-1

640

Température de sublimation

2700

Force de flexion

MPa (RT 4 points)

415

Module de Young

Gpa (courbure 4pt, 1300℃)

430

Expansion thermique (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivité thermique

(W/mK)

300


Caractéristiques du suscepteur en graphite revêtu de SiC pour MOCVD

- Éviter de se décoller et assurer un revêtement sur toutes les surfaces
Résistance à l'oxydation à haute température : Stable à haute température jusqu'à 1600°C
Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température.
Résistance à la corrosion : dureté élevée, surface dense et particules fines.
Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
- Obtenez le meilleur modèle de flux de gaz laminaire
- Garantir la régularité du profil thermique
- Empêcher toute contamination ou diffusion d'impuretés




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