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Substrat GaN sur SiC

Suscepteur en graphite Semicorex spécialement conçu pour les équipements d'épitaxie à haute résistance à la chaleur et à la corrosion en Chine. Nos suscepteurs de substrat GaN-sur-SiC ont un bon avantage de prix et couvrent de nombreux marchés européens et américains. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Plaque de disque en étoile de couverture MOCVD pour l'épitaxie de wafer

Semicorex est un fabricant et fournisseur renommé de plaque de disque étoile de couverture MOCVD de haute qualité pour l'épitaxie de plaquettes. Notre produit est spécialement conçu pour répondre aux besoins de l'industrie des semi-conducteurs, en particulier pour la croissance de la couche épitaxiale sur la puce de plaquette. Notre suscepteur est utilisé comme plaque centrale dans MOCVD, avec une conception en forme d'engrenage ou d'anneau. Le produit est très résistant à la chaleur élevée et à la corrosion, ce qui le rend idéal pour une utilisation dans des environnements extrêmes.

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Voulez-vous acheter Gan-Substrate avancé et durable ? Semicorex est certainement votre bon choix. Nous sommes reconnus comme l'un des fabricants et fournisseurs Gan-Substrate les plus compétitifs en Chine. Nous fournissons également des emballages en vrac. Vous pouvez avoir besoin de services personnalisés pour répondre aux besoins réels de votre région, vous pouvez nous laisser un message via les informations de contact sur la page Web. Nous invitons sincèrement les nouveaux et anciens clients à visiter notre usine pour consultation et négociation.