Plaque de disque en étoile de couverture MOCVD pour l'épitaxie de wafer

Semicorex est un fabricant et fournisseur renommé de plaque de disque étoile de couverture MOCVD de haute qualité pour l'épitaxie de plaquettes. Notre produit est spécialement conçu pour répondre aux besoins de l'industrie des semi-conducteurs, en particulier pour la croissance de la couche épitaxiale sur la puce de plaquette. Notre suscepteur est utilisé comme plaque centrale dans MOCVD, avec une conception en forme d'engrenage ou d'anneau. Le produit est très résistant à la chaleur élevée et à la corrosion, ce qui le rend idéal pour une utilisation dans des environnements extrêmes.

envoyer une demande

Description du produit

Notre plaque de disque en étoile de couverture MOCVD pour l'épitaxie de wafers est un excellent produit qui assure le revêtement sur toutes les surfaces, évitant ainsi le pelage. Il a une résistance à l'oxydation à haute température qui assure la stabilité même à des températures élevées allant jusqu'à 1600°C. Le produit est fabriqué avec une grande pureté par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température. Il a une surface dense avec de fines particules, ce qui le rend très résistant à la corrosion par les acides, les alcalis, le sel et les réactifs organiques.
Notre plaque de disque étoile de couverture MOCVD pour l'épitaxie de plaquettes garantit le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire, assurant l'uniformité du profil thermique. Il empêche toute contamination ou diffusion d'impuretés, assurant une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce de plaquette. Notre produit est proposé à un prix compétitif, ce qui le rend accessible à de nombreux clients. Nous couvrons de nombreux marchés européens et américains, et notre équipe se consacre à fournir un excellent service client et une assistance. Nous nous efforçons de devenir votre partenaire à long terme en fournissant une plaque de disque étoile de couverture MOCVD de haute qualité et fiable pour l'épitaxie de plaquettes.

Paramètres de la plaque de disque en étoile de couverture MOCVD pour l'épitaxie de plaquettes

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques de la plaque de disque étoile de couverture MOCVD pour l'épitaxie de plaquettes

- Éviter le décollement et assurer le revêtement sur toutes les surfaces
Résistance à l'oxydation à haute température : Stable à haute température jusqu'à 1600°C
Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température.
Résistance à la corrosion : dureté élevée, surface dense et particules fines.
Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
- Obtenez le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire
- Garantir l'uniformité du profil thermique
- Empêcher toute contamination ou diffusion d'impuretés