Maison > Produits > Revêtement en carbure de silicium > Accepteur MOCVD > Plaque de disque en étoile de couverture MOCVD pour épitaxie de plaquettes
Plaque de disque en étoile de couverture MOCVD pour épitaxie de plaquettes

Plaque de disque en étoile de couverture MOCVD pour épitaxie de plaquettes

Semicorex est un fabricant et fournisseur renommé de plaques de disque en étoile de couverture MOCVD de haute qualité pour l'épitaxie de plaquettes. Notre produit est spécialement conçu pour répondre aux besoins de l'industrie des semi-conducteurs, notamment en matière de croissance de la couche épitaxiale sur la puce. Notre suscepteur est utilisé comme plaque centrale dans MOCVD, avec une conception en forme d'engrenage ou d'anneau. Le produit est très résistant à la chaleur élevée et à la corrosion, ce qui le rend idéal pour une utilisation dans des environnements extrêmes.

envoyer une demande

Description du produit

Notre plaque de disque MOCVD Cover Star pour épitaxie de plaquettes est un excellent produit qui assure un revêtement sur toutes les surfaces, évitant ainsi le décollement. Il présente une résistance à l'oxydation à haute température qui garantit sa stabilité même à des températures élevées allant jusqu'à 1 600 °C. Le produit est fabriqué avec une grande pureté par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température. Il a une surface dense avec de fines particules, ce qui le rend très résistant à la corrosion causée par les acides, les alcalis, le sel et les réactifs organiques.
Notre plaque de disque en étoile de couverture MOCVD pour l'épitaxie de plaquettes garantit le meilleur modèle de flux de gaz laminaire, assurant l'uniformité du profil thermique. Il empêche toute contamination ou diffusion d'impuretés, garantissant une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce. Notre produit est proposé à un prix compétitif, ce qui le rend accessible à de nombreux clients. Nous couvrons de nombreux marchés européens et américains et notre équipe se consacre à fournir un excellent service client et une excellente assistance. Nous nous efforçons de devenir votre partenaire à long terme en fournissant une plaque de disque en étoile de couverture MOCVD fiable et de haute qualité pour l'épitaxie de plaquettes.


Paramètres de la plaque de disque en étoile de couverture MOCVD pour l'épitaxie de plaquettes

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD

Structure cristalline

Phase β du FCC

Densité

g/cm³

3.21

Dureté

Dureté Vickers

2500

Taille des grains

µm

2~10

Pureté chimique

%

99.99995

Capacité thermique

J kg-1 K-1

640

Température de sublimation

2700

Force de flexion

MPa (RT 4 points)

415

Module de Young

Gpa (courbure 4pt, 1300℃)

430

Expansion thermique (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivité thermique

(W/mK)

300


Caractéristiques de la plaque de disque en étoile de couverture MOCVD pour l'épitaxie de plaquettes

- Éviter de se décoller et assurer un revêtement sur toutes les surfaces
Résistance à l'oxydation à haute température : Stable à haute température jusqu'à 1600°C
Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température.
Résistance à la corrosion : dureté élevée, surface dense et particules fines.
Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
- Obtenez le meilleur modèle de flux de gaz laminaire
- Garantir la régularité du profil thermique
- Empêcher toute contamination ou diffusion d'impuretés




Balises actives: Plaque de disque en étoile de couverture MOCVD pour épitaxie de plaquettes, Chine, fabricants, fournisseurs, usine, personnalisée, en vrac, avancée, durable
Catégorie associée
envoyer une demande
N'hésitez pas à faire votre demande dans le formulaire ci-dessous. Nous vous répondrons dans les 24 heures.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept