Assiette par satellite

La plaque satellite semicoréx est un porte-gigantesque vital pendant le processus de croissance épitaxiale, garantissant un dépôt uniforme et une efficacité de processus optimale. Construit à partir de graphite de haute pureté et enduit d'une couche de carbure de silicium robuste (SIC), cette plaque offre une stabilité thermique exceptionnelle, une résistance chimique et une résistance mécanique, solidifiant sa position de composant indispensable dans la fabrication de semi-conducteurs à haute performance.

Avec une base de graphite de haute pureté, la plaque satellite excelle dans la conductivité thermique et l'intégrité structurelle. LeRevêtement sicStimule considérablement sa durabilité, offrant une résistance à haute température, une inertie chimique et une réduction considérablement de la génération de particules. Cette combinaison puissante garantit que la plaque supporte des conditions de traitement sévères tout en se comportant régulièrement à un niveau élevé. La base de graphite facilite un transfert de chaleur efficace, garantissant une distribution de température uniforme à travers la tranche, tandis que le revêtement SIC protège contre les gaz de processus corrosifs, empêchant la contamination et prolongeant la durée de vie. De plus, la surface du SIC minimise la libération de particules, qui est essentielle pour obtenir une fabrication de semi-conducteurs à haut rendement.

Conçu spécifiquement pour l'intégration transparente avec les systèmes AIXTRON G5 +, la plaque satellite garantit un positionnement précis de la plaquette et un équilibre en rotation, essentiel pour maintenir des conditions thermiques stables et réduire les taux de défaut. La composition avancée des matériaux de la plaque prolonge non seulement sa durée de vie de service, mais réduit considérablement les coûts opérationnels et améliore la productivité de la fabrication.

Principalement utilisé dans le processus de dépôt chimique organique en métal (MOCVD), la plaque satellite est cruciale pour la croissance des couches épitaxiales sur des plaquettes semi-conductrices. Il joue un rôle clé dans la production de dispositifs de semi-conducteurs avancés, y compris les LED, l'électronique de puissance à base de SiC et GAN, les composants photoniques et optoélectroniques et les dispositifs RF à haute fréquence. En garantissant des conditions thermiques stables et en minimisant la contamination, la plaque satellite garantit une croissance cohérente de la couche épitaxiale, conduisant à une amélioration de la manipulation des plaquettes et à des taux de rendement plus élevés. Sa conception optimisée sécurise efficacement le support de la plaquette, réduisant les défauts et garantissant la précision tout au long des étapes de traitement des semi-conducteurs.

La plaque satellite semicoréx sert de composant essentiel pour les réacteurs épitaxy Aixtron G5 +, offrant une durabilité inégalée, une résistance chimique et des performances thermiques. Sa composition de matériaux et son ingénierie de pointe le rend essentiel au processus de fabrication de semi-conducteurs, garantissant la production de plaquettes de haute qualité et de haute qualité. Investissez dans la plaque satellite pour élever votre fabrication de semi-conducteurs et réalisez l'excellence dans les processus de croissance épitaxiale.