Suscepteurs épitaxiaux revêtus de SiC

Semi-conducteursubstratsne peut pas être placé directement sur la base dans un équipement MOCVD ou CVD pendant le dépôt épitaxial en raison de l'impact de plusieurs facteurs critiques, notamment la direction du flux de gaz (horizontal et vertical), la température, la pression, la fixation du substrat et la contamination particulaire. Pour cette raison, les suscepteurs épitaxiaux doivent être positionnés au centre de la chambre de réaction dans les systèmes MOCVD/CVD pour soutenir et sécuriser les substrats semi-conducteurs, empêchant ainsi la dégradation de la qualité de la croissance épitaxiale provoquée par les vibrations ou le déplacement de position.

Du graphite de haute pureté est utilisé comme matériau de matrice pour SemicorexSuscepteurs épitaxiaux revêtus de SiC, avec le revêtement de carbure de silicium déposé sur leur surface par les techniques avancées de CVD. Les suscepteurs épitaxiaux à revêtement Semicorex SiC sont les composants indispensables dans le processus de formation de couche épitaxiale. Leur rôle principal est de fournir un environnement opérationnel stable et contrôlable pour la croissance de couches épitaxiales sur des substrats semi-conducteurs, ce qui peut ainsi garantir la cohérence de la qualité de la surface des plaquettes.

Les caractéristiques des suscepteurs épitaxiaux Semicorex revêtus de SiC

1. Résistance exceptionnelle aux hautes températures pour résister à des conditions de fonctionnement de 1600 ℃.

2. Conductivité thermique élevée, offrant un transfert de chaleur rapide pour maintenir une répartition uniforme de la température sur les substrats semi-conducteurs.

3. Forte résistance à la corrosion chimique pour résister à la dégradation chimique et à la corrosion, évitant ainsi la contamination des substrats et des couches épitaxiales.

4. Résistance supérieure aux chocs thermiques pour éviter l'apparition de fissures et de délaminage du revêtement.

5. Planéité de surface exceptionnelle, s'adaptant parfaitement aux substrats qui minimisent les espaces et les défauts.

6. Durée de vie plus longue, réduisant le temps et les pertes économiques causées par le remplacement et la maintenance des pièces.

Les applications des suscepteurs épitaxiaux Semicorex revêtus de SiC

Présentant de multiples excellents avantages, les suscepteurs épitaxiaux à revêtement SiC Semicorex jouent un rôle central dans la facilitation d'une croissance uniforme et contrôlable de films minces épitaxiaux et sont largement appliqués dans le processus de croissance épitaxiale des semi-conducteurs.

1.Croissance épitaxiale GaN

2. Croissance épitaxiale SiC

Croissance épitaxiale 3.Si