Disque d'épitaxie revêtu de SiC

Le disque d'épitaxie à revêtement SiC Semicorex présente une gamme d'avantages inégalés dans l'industrie des semi-conducteurs, qui peuvent être développés comme suit :

Faible coefficient de dilatation thermique : le disque d'épitaxie revêtu de SiC présente un coefficient de dilatation thermique particulièrement faible, ce qui est essentiel dans le traitement des semi-conducteurs où la stabilité dimensionnelle est essentielle. Cet attribut garantit que le disque d'épitaxie revêtu de SiC subit une expansion ou une contraction minimale sous les variations de température, maintenant ainsi l'intégrité de la structure semi-conductrice pendant les processus à haute température.

Résistance à l'oxydation à haute température : conçu avec une résistance à l'oxydation remarquable, ce disque d'épitaxie revêtu de SiC conserve son intégrité structurelle à des températures élevées, ce qui en fait un composant idéal pour les applications dans les processus de semi-conducteurs à haute température où la stabilité thermique est cruciale.

Surface dense et finement poreuse : La surface du disque d'épitaxie revêtu de SiC se caractérise par sa densité et sa porosité fine, qui fournissent une texture de surface optimale pour faire adhérer divers revêtements et assurent un retrait efficace des matériaux pendant le traitement des plaquettes semi-conductrices sans endommager la surface délicate.

Dureté élevée : le revêtement confère un niveau élevé de dureté au disque de graphite, qui résiste aux rayures et à l'usure, prolongeant ainsi la durée de vie du disque d'épitaxie revêtu de SiC et réduisant la fréquence de remplacement dans les environnements de fabrication de semi-conducteurs.

Résistance aux acides, bases, sels et réactifs organiques : Le revêtement CVD SiC du disque d'épitaxie revêtu de SiC offre une excellente résistance à une large gamme d'agents corrosifs, notamment les acides, les bases, les sels et les réactifs organiques, ce qui le rend adapté à une utilisation dans des environnements où l'exposition aux produits chimiques est une préoccupation, améliorant ainsi la fiabilité et la longévité de l'équipement.

Couche de surface bêta-SiC : La couche de surface SIC (carbure de silicium) du disque d'épitaxie revêtu de SiC est constituée de bêta-SiC, qui possède une structure cristalline cubique à faces centrées (FCC). Cette structure cristalline contribue aux propriétés mécaniques et thermiques exceptionnelles du revêtement, offrant une résistance et une conductivité thermique supérieures au disque, essentielles pour les équipements de traitement des semi-conducteurs.