Suscepteurs SiC Epi-Wafer

Vous ne pouvez pas fabriquer de semi-conducteurs à large bande interdite (WBG), essentiels à la révolution des véhicules électriques (VE) et de la 5G, sans établir les propriétés idéales des matériaux grâce à la croissance épitaxiale. Les suscepteurs Semicorex SiC Epi-Wafer ont été conçus pour être utilisés comme base (thermique/structurelle) pour l'épitaxie SiC et GaN. La combinaison degraphite isostatique(excellente conductivité thermique) avec le carbure de silicium déposé en phase vapeur chimique (CVD) (résistance chimique extrême) permet d'obtenir un kit de processus qui permet le plus grand rendement et la plus grande répétabilité possible.

Ingénierie de l'environnement thermique « parfait »

Pour atteindre des températures de croissance épitaxiale adéquates (supérieures à 1 500 °C) dans une atmosphère saturée en gaz précurseurs réactifs et corrosifs, un support en graphite conventionnel serait dégradé lors de l'exposition et contaminerait donc la tranche. Cependant, les suscepteurs SiC Epi-Wafer développés par Semicorex ont abouti à une solution via une intégration avancée de matériaux pour fournir au processus d'épitaxie une base stable pendant des milliers d'heures de processus.

1. Uniformité thermique supérieure

Le rôle principal d’un suscepteur est d’agir comme un dissipateur de chaleur. Notre noyau en graphite isostatique de haute pureté fournit un champ thermique uniforme sur toute la surface de la tranche. Cela minimise les « points chauds » qui provoquent des variations dans l'épaisseur de l'épi-couche et la concentration de dopage. Dans le monde de l'électronique de puissance, où la cohérence RDS(on) est reine, nos suscepteurs offrent la précision thermique requise pour une uniformité submicronique.

2. Encapsulation hermétique CVD SiC

Nous utilisons un processus CVD de pointe pour appliquer un revêtement dense et ultra-pur en carbure de silicium. Cette couche n’est pas seulement un revêtement ; c'est un joint hermétique.

Suppression des particules : le revêtement empêche le substrat en graphite de « dépoussiérer » ou de dégazer des impuretés telles que des traces de bore ou de métal dans la chambre de réaction.

Inertie chimique : notreRevêtement SiCest imperméable à la gravure par H2, HCl et ammoniac (NH3), qui sont courantes dans les réacteurs d'épitaxie MOCVD et SiC.

3. Correspondance CTE de précision

L’un des points de défaillance les plus courants du matériel revêtu est le délaminage dû aux cycles thermiques. Nous sélectionnons spécifiquement des qualités de graphite dont le coefficient de dilatation thermique (CTE) est parfaitement synchronisé avec leRevêtement SiC. Cette « harmonie d'expansion » permet aux suscepteurs SiC Epi-Wafer de supporter des cycles rapides de montée et de descente sans fissure ni pelage, prolongeant ainsi la durée de vie du composant jusqu'à 300 % par rapport aux alternatives standard de l'industrie.

Optimisé pour les plates-formes mondiales de réacteurs

Notre équipe d’ingénieurs possède une vaste expérience dans la conception de suscepteurs pour les configurations de réacteurs horizontales et verticales. Nous proposons des remplacements immédiats et des solutions sur mesure pour les principaux systèmes OEM du secteur (y compris les plateformes AIXTRON, Veeco et Tokyo Electron).

Que vous utilisiez un réacteur planétaire ou un outil mono-wafer, nos suscepteurs sont optimisés pour :

Dynamique des flux de gaz :Poches usinées avec précision pour assurer un flux laminaire à travers la plaquette.

Rotation des plaquettes :Rapports poids/friction optimisés pour une rotation stable et rapide pendant la croissance.

Traitement automatisé :Bords renforcés pour résister aux contraintes mécaniques du transfert robotisé de plaquettes.