Anneaux de mise au point SiC

Les bagues de mise au point SiC avancées et de haute pureté de Semicorex sont conçues pour résister aux environnements extrêmes des chambres de gravure au plasma (ou de gravure sèche). Nous nous concentrons sur les industries des semi-conducteurs telles que les couches de carbure de silicium et les semi-conducteurs d'épitaxie. Nos produits ont un bon avantage de prix et couvrent de nombreux marchés européens et américains. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

Semicorex fournit des anneaux de mise au point SiC vraiment stables pour le RTA, le RTP ou le nettoyage chimique agressif. Les anneaux de mise au point SiC ou les anneaux de bord sont conçus pour améliorer l'uniformité de la gravure autour du bord ou du périmètre de la tranche. Minimisez la contamination et la maintenance imprévue avec des composants de haute pureté conçus pour les rigueurs du traitement de gravure au plasma. Nos bagues de mise au point SiC avec revêtement SiC sont un revêtement en carbure de silicium (SiC) dense et résistant à l'usure. Il a des propriétés élevées de résistance à la corrosion et à la chaleur ainsi qu'une excellente conductivité thermique. Nous appliquons du SiC en couches minces sur le graphite en utilisant le procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD).

Paramètres des bagues de mise au point SiC

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques des bagues de mise au point SiC

- Revêtements en carbure de silicium CVD pour améliorer la durée de vie.

- Isolation thermique en carbone rigide purifié haute performance.

- Réchauffeur et plaque en composite carbone/carbone. - Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Graphite de haute pureté et revêtement SiC pour une résistance aux trous d'épingle et une durée de vie plus longue