Les anneaux de mise au point SiC avancés et de haute pureté Semicorex sont conçus pour résister aux environnements extrêmes dans les chambres de gravure au plasma (ou de gravure sèche). Nous nous concentrons sur les industries des semi-conducteurs telles que les couches de carbure de silicium et les semi-conducteurs épitaxiés. Nos produits ont un bon avantage de prix et couvrent de nombreux marchés européens et américains. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.
Semicorex fournit des bagues de mise au point SiC très stables pour le RTA, le RTP ou le nettoyage chimique agressif. Les anneaux de mise au point ou anneaux de bord SiC sont conçus pour améliorer l'uniformité de la gravure autour du bord ou du périmètre de la tranche. Minimisez la contamination et la maintenance imprévue grâce à des composants de haute pureté conçus pour les rigueurs du traitement de gravure au plasma. Nos bagues de mise au point SiC avec revêtement SiC sont un revêtement en carbure de silicium (SiC) dense et résistant à l'usure. Il possède des propriétés élevées de résistance à la corrosion et à la chaleur ainsi qu’une excellente conductivité thermique. Nous appliquons du SiC en couches minces sur le graphite en utilisant le procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD).
Paramètres des bagues de mise au point SiC
Principales spécifications du revêtement CVD-SIC |
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Propriétés SiC-CVD |
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Structure cristalline |
Phase β du FCC |
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Densité |
g/cm³ |
3.21 |
Dureté |
Dureté Vickers |
2500 |
Taille des grains |
µm |
2~10 |
Pureté chimique |
% |
99.99995 |
Capacité thermique |
J kg-1 K-1 |
640 |
Température de sublimation |
℃ |
2700 |
Force de flexion |
MPa (RT 4 points) |
415 |
Module de Young |
Gpa (courbure 4pt, 1300℃) |
430 |
Expansion thermique (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Conductivité thermique |
(W/mK) |
300 |
Caractéristiques des bagues de mise au point SiC
-Revêtements CVD en carbure de silicium pour améliorer la durée de vie.
- Isolation thermique en carbone rigide purifié haute performance.
- Chauffage et plaque composite carbone/carbone. - Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.
- Revêtement graphite et SiC de haute pureté pour une résistance aux sténopés et une durée de vie plus longue