Couvercle de chambre à vide MOCVD

Le couvercle de chambre à vide MOCVD utilisé dans le traitement de la croissance des cristaux et de la manipulation des plaquettes doit résister à des températures élevées et à un nettoyage chimique agressif. Le couvercle de chambre à vide MOCVD revêtu de carbure de silicium Semicorex est spécialement conçu pour résister à ces environnements difficiles. Nos produits ont un bon avantage de prix et couvrent de nombreux marchés européens et américains. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

Les composants Semicorex Graphite sont du graphite recouvert de SiC de haute pureté, utilisé dans le processus de croissance du processus de monocristal et de tranche. La croissance du composé de couvercle de chambre à vide MOCVD a une résistance élevée à la chaleur et à la corrosion, est durable pour subir une combinaison de gaz précurseurs volatils, de plasma et de températures élevées.

Chez Semicorex, nous nous engageons à fournir des produits et services de haute qualité à nos clients. Nous utilisons uniquement les meilleurs matériaux et nos produits sont conçus pour répondre aux plus hauts standards de qualité et de performance. Notre couvercle de chambre à vide MOCVD ne fait pas exception. Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur la manière dont nous pouvons vous aider avec vos besoins en matière de traitement de plaquettes semi-conductrices.

Paramètres du couvercle de la chambre à vide MOCVD

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure cristalline	Phase β du FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille des grains	µm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J kg-1 K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force de flexion	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (courbure 4pt, 1300℃)	430
Expansion thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300