Couvercle de chambre à vide MOCVD

Le couvercle de la chambre à vide MOCVD utilisé dans la croissance des cristaux et le traitement de la manipulation des plaquettes doit supporter des températures élevées et un nettoyage chimique agressif. Couvercle de chambre à vide MOCVD revêtu de carbure de silicium Semicorex conçu spécifiquement pour résister à ces environnements difficiles. Nos produits ont un bon avantage de prix et couvrent de nombreux marchés européens et américains. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

Les composants Semicorex Graphite sont du graphite revêtu de SiC de haute pureté, utilisé dans le processus pour développer le processus de monocristal et de plaquette. La croissance du composé de couvercle de chambre à vide MOCVD a une résistance élevée à la chaleur et à la corrosion, est durable pour faire l'expérience d'une combinaison de gaz précurseurs volatils, de plasma et de températures élevées.

Chez Semicorex, nous nous engageons à fournir des produits et services de haute qualité à nos clients. Nous n'utilisons que les meilleurs matériaux et nos produits sont conçus pour répondre aux normes de qualité et de performance les plus élevées. Notre couvercle de chambre à vide MOCVD ne fait pas exception. Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur la façon dont nous pouvons vous aider avec vos besoins de traitement de tranches de semi-conducteurs.

Paramètres du couvercle de la chambre à vide MOCVD

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300