Plaque de distribution de gaz SiC

Dans les processus d'épitaxie de semi-conducteurs, l'uniformité du flux de gaz est l'un des facteurs les plus critiques affectant la qualité du film, la cohérence de l'épaisseur et le rendement des tranches. La plaque de distribution de gaz SiC, souvent appelée plaque de pomme de douche, est spécifiquement conçue pour distribuer les gaz de traitement uniformément sur la surface de la tranche tout en maintenant la stabilité dans des conditions de processus extrêmes.

Les plaques de distribution de gaz Semicorex SiC sont conçues pour les réacteurs d'épitaxie de silicium à haute température fonctionnant au-dessus de 1 400 °C. Fabriqué à partir de substrats de graphite isotrope de haute pureté et protégé par un revêtement denseRevêtement en carbure de silicium par dépôt chimique en phase vapeur (CVD), ces composants offrent une résistance exceptionnelle à la corrosion, un contrôle de la contamination et une fiabilité à long terme dans les environnements semi-conducteurs exigeants.

Technologie de revêtement CVD SiC

Le principal avantage de la plaque de distribution de gaz SiC réside dans sa technologie de revêtement avancée.

Une couche de carbure de silicium de haute pureté est déposée sur la surface du graphite isotrope à l'aide d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Ce revêtement forme une barrière protectrice dense et hautement uniforme qui améliore considérablement les performances des composants dans des conditions de processus agressives.

Les caractéristiques typiques du revêtement comprennent :

Épaisseur du revêtement : environ 100 μm

Plage d'épaisseur réglable : 40 à 200 μm

Haute densité de revêtement

Excellente uniformité de l'épaisseur

Forte adhérence au substrat en graphite

Surface ultra-pure

La couche CVD SiC isole efficacement le matériau de base en graphite des gaz de traitement réactifs, améliorant ainsi considérablement la résistance à la corrosion et la durée de vie opérationnelle.

Protéger le substrat de graphite

Le graphite est largement utilisé dans les équipements d’épitaxie en raison de ses excellentes propriétés thermiques et de sa capacité à résister à des températures extrêmes. Cependant, le graphite non protégé est sensible à l'érosion et aux attaques chimiques lors d'une exposition à long terme aux gaz de procédé.

À mesure que le graphite se dégrade, il peut générer des particules qui contaminent les tranches et affectent négativement le rendement du dispositif.

Le revêtement CVD SiC remplit plusieurs fonctions de protection :

Empêche l'exposition directe du graphite aux gaz réactifs

Réduit la génération de particules

Améliore la résistance à la gravure chimique

Prolonge la durée de vie des composants

Maintient la propreté de la chambre

Cette protection devient de plus en plus importante dans la fabrication avancée de semi-conducteurs, où même une contamination microscopique peut avoir un impact sur la qualité du produit.

Fabrication de précision et personnalisation

Semicorex fabrique des plaques de distribution de gaz SiC avec un contrôle strict des tolérances dimensionnelles, de l'uniformité du revêtement et de la géométrie des trous.

Les options de personnalisation incluent :

Plateformes de réacteur de 8 pouces

Plates-formes de réacteur de 12 pouces

Diamètres personnalisés

Modèles de trous personnalisés

Conceptions de distribution de gaz spécifiques à une application

Exigences d'épaisseur de revêtement variables

Caractéristiques de montage spécialisées

Cette flexibilité permet une optimisation pour différentes architectures de réacteurs et conditions de processus.

Applications

Les plaques de distribution de gaz SiC sont largement utilisées dans :

• Systèmes d'épitaxie de silicium
• Réacteurs CVD à semi-conducteurs
• Équipement de dépôt à haute température
• Systèmes avancés de traitement des plaquettes
• Fabrication de semi-conducteurs de puissance
• Production de semi-conducteurs composés

Leur capacité à combiner le contrôle du débit de gaz et la résistance à la contamination en fait un composant essentiel dans la fabrication moderne de semi-conducteurs.