Récepteur multi-poches SiC

La base du semicorex SiC Multi Pocket Susceptor est du graphite isotrope de très haute pureté, réputé pour sa stabilité thermique et sa résistance aux chocs thermiques. Ce matériau de base est encore amélioré grâce à l'application d'un revêtement SiC déposé par CVD méticuleusement contrôlé. Cette combinaison offre une synergie unique de propriétés :

Résistance chimique inégalée :La couche superficielle de SiC présente une résistance exceptionnelle à l'oxydation, à la corrosion et aux attaques chimiques, même à des températures élevées inhérentes aux processus de croissance épitaxiale. Cette inertie garantit que le Susceptor SiC Multi Pocket conserve son intégrité structurelle et sa qualité de surface, minimisant ainsi le risque de contamination et garantissant une durée de vie opérationnelle prolongée.

Stabilité thermique et uniformité exceptionnelles :La stabilité inhérente du graphite isotrope, associée au revêtement uniforme SiC, garantit une répartition uniforme de la chaleur sur la surface du suscepteur. Cette uniformité est primordiale pour obtenir des profils de température homogènes sur toute la tranche pendant l'épitaxie, se traduisant directement par une croissance cristalline et une uniformité de film supérieures.

Efficacité améliorée des processus :La robustesse et la longévité du SiC Multi Pocket Susceptor contribuent à accroître l’efficacité des processus. La réduction des temps d'arrêt pour le nettoyage ou le remplacement se traduit par un débit plus élevé et un coût global de possession inférieur, facteurs cruciaux dans les environnements exigeants de fabrication de semi-conducteurs.

Les propriétés supérieures du suscepteur SiC Multi Pocket se traduisent directement par des avantages tangibles dans la fabrication de plaquettes épitaxiales :

Qualité des plaquettes améliorée :L'uniformité améliorée de la température et l'inertie chimique contribuent à réduire les défauts et à améliorer la qualité des cristaux dans la couche épitaxiale. Cela se traduit directement par une amélioration des performances et du rendement des dispositifs semi-conducteurs finaux.

Performances accrues de l'appareil :La capacité d’obtenir un contrôle précis des profils de dopage et des épaisseurs de couche pendant l’épitaxie est cruciale pour optimiser les performances du dispositif. La plate-forme stable et uniforme fournie par le SiC Multi Pocket Susceptor permet aux fabricants d'affiner les caractéristiques des dispositifs pour des applications spécifiques.

Activation des applications avancées :Alors que l’industrie des semi-conducteurs s’oriente vers des géométries de dispositifs plus petites et des architectures plus complexes, la demande de plaquettes épitaxiales hautes performances continue d’augmenter. Le suscepteur multi-poches Semicorex SiC joue un rôle crucial dans la réalisation de ces progrès en fournissant la plate-forme nécessaire pour une croissance épitaxiale précise et reproductible.