Plateau de plaquettes SiC

Le plateau de plaquettes Semicorex SiC, fonctionnant comme un élément clé de l'appareil MOCVD, contient et gère thermiquement les substrats monocristallins. Ses caractéristiques de performance exceptionnelles, notamment une stabilité et une uniformité thermiques supérieures ainsi qu'une inhibition de la corrosion, etc., sont cruciales pour la croissance de haute qualité des matériaux épitaxiaux. Ces attributs garantissent une uniformité et une pureté constantes dans les couches minces.

Amélioré par un revêtement SiC, le plateau de plaquettes SiC améliore considérablement la conductivité thermique, facilitant une distribution rapide et uniforme de la chaleur, essentielle à une croissance épitaxiale uniforme. La capacité du plateau de plaquettes SiC à absorber et à diffuser efficacement la chaleur maintient une température stable et constante, essentielle au dépôt précis de films minces. Cette répartition uniforme de la température est essentielle à la production de couches épitaxiales de haute qualité, essentielles aux performances des dispositifs semi-conducteurs avancés.

Les performances fiables et la longévité du plateau de plaquettes SiC réduisent la fréquence des remplacements, minimisant ainsi les temps d'arrêt et les coûts de maintenance. Sa construction robuste et ses capacités opérationnelles supérieures améliorent l'efficacité des processus, augmentant ainsi la productivité et la rentabilité dans la fabrication de semi-conducteurs.

De plus, le plateau de plaquettes Semicorex SiC présente une excellente résistance à l'oxydation et à la corrosion à haute température, garantissant ainsi sa durabilité et sa fiabilité. Sa haute endurance thermique, marquée par un point de fusion important, lui permet de résister aux conditions thermiques rigoureuses inhérentes aux procédés de fabrication des semi-conducteurs.