Les électrodes incurvées en silicium Semicorex sont les composants essentiels du silicium fonctionnant à la fois comme électrodes supérieures et comme canaux de gaz de gravure dans les processus de gravure de semi-conducteurs de haute précision. Les électrodes incurvées en silicium Semicorex sont les solutions idéales pour optimiser le champ énergétique de gravure, qui sont largement utilisées dans les équipements de gravure pour le conditionnement avancé (TSV, WLCSP) et les tranches structurées en 3D.
Lors de l'équipement de gravure avancé, l'électrode incurvée en silicium est généralement montée sur le dessus de la chambre de gravure, face à la tranche semi-conductrice. L'électrode incurvée en silicium fonctionne généralement en conjonction avec le mandrin électrostatique, la bague de focalisation en Si, la bague de bord en Si, la bague d'échappement en Si et la bague de blindage en Si pour fournir des conditions de fonctionnement optimales pour une gravure de haute précision.
Avec une capacité exceptionnelle de contrôle du champ électrique 3D, Semicorexélectrodes incurvées en siliciumpeut parfaitement épouser les caractéristiques géométriques de structures complexes. La conception incurvée spéciale permet un contrôle précis du plasma et une distribution d'énergie optimisée, ce qui affecte considérablement le rapport d'aspect et la verticalité des parois latérales de la gravure de la structure 3D et répond pleinement aux exigences de la ligne de production des processus d'emballage avancés et de l'intégration des circuits intégrés 3D.
Les électrodes incurvées en silicium Semicorex comportent plusieurs micro-trous uniformément répartis sur leur surface permettant au gaz de gravure d'entrer dans la chambre de gravure. Les électrodes incurvées en silicium Semicorex peuvent obtenir un contrôle précis du gaz de gravure et lui permettre d'être distribué uniformément dans la chambre de gravure, minimisant ainsi les variations de processus causées par une distribution non uniforme du gaz.
Les électrodes incurvées en silicium Semicorex sont constituées d'un monocristal de très haute puretésiliciumavec un niveau de pureté supérieur à 99,9999999 %, offrant une résistance supérieure à l'érosion plasmatique. Cette sélection de matériaux de haute qualité peut efficacement éviter toute contamination indésirable résultant des sous-produits de gravure tout en prolongeant considérablement la durée de vie des électrodes incurvées en silicium.
Fabriquées à partir de silicium monocristallin cultivé par MCZ, les électrodes incurvées en silicium Semicorex présentent une superbe uniformité de résistivité : <5 % et une large plage de résistivité sélectionnable : basse résolution. (<0,02), moyenne résolution. (1–4) et haute résolution. (70-90).
Grâce à un traitement mécanique de haute précision, les électrodes incurvées en silicium Semicorex atteignent une taille de pores constante et une distribution uniforme des trous. Leurs surfaces sont finement polies et rectifiées : polies (Ra < 0,1 μm) et rectifiées (Ra < 1,6 μm), avec une précision d'usinage globale contrôlée à 0,03 mm près.