Suscepteurs d'épitaxie au silicium

Vous pouvez être assuré d'acheter des suscepteurs d'épitaxie au silicium dans notre usine. Le Suscepteur d'épitaxie au silicium de Semicorex est un produit de haute qualité et de haute pureté utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs pour la croissance épitaxiale de la puce de plaquette. Notre produit dispose d'une technologie de revêtement supérieure qui garantit que le revêtement est présent sur toutes les surfaces, empêchant le décollement. Le produit est stable à des températures élevées jusqu'à 1600°C, ce qui le rend adapté à une utilisation dans des environnements extrêmes.

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Description du produit

Nos suscepteurs d'épitaxie de silicium sont fabriqués par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température, garantissant une grande pureté. La surface du produit est dense, avec des particules fines et une dureté élevée, ce qui le rend résistant à la corrosion par les acides, les alcalis, le sel et les réactifs organiques.
Notre produit est conçu pour obtenir le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire, garantissant l'uniformité du profil thermique. Nos suscepteurs d'épitaxie en silicium empêchent toute contamination ou diffusion d'impuretés pendant le processus de croissance épitaxiale, garantissant des résultats de haute qualité.
Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de produits de haute qualité et rentables à nos clients. Nos suscepteurs d'épitaxie au silicium ont un avantage de prix et sont exportés vers de nombreux marchés européens et américains. Nous visons à être votre partenaire à long terme, offrant des produits de qualité constante et un service client exceptionnel.

Paramètres des suscepteurs d'épitaxie au silicium

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Paramètres des suscepteurs d'épitaxie au silicium

- Éviter le décollement et assurer le revêtement sur toutes les surfaces
Résistance à l'oxydation à haute température : Stable à haute température jusqu'à 1600°C
Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température.
Résistance à la corrosion : dureté élevée, surface dense et particules fines.
Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
- Obtenez le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire
- Garantir l'uniformité du profil thermique
- Empêcher toute contamination ou diffusion d'impuretés