Suscepteurs d'épitaxie de silicium

Vous pouvez être assuré d'acheter des suscepteurs d'épitaxie de silicium dans notre usine. Le suscepteur d'épitaxie de silicium de Semicorex est un produit de haute qualité et de haute pureté utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs pour la croissance épitaxiale de la puce sur tranche. Notre produit dispose d'une technologie de revêtement supérieure qui garantit que le revêtement est présent sur toutes les surfaces, empêchant ainsi le décollement. Le produit est stable à des températures élevées jusqu'à 1 600 °C, ce qui le rend adapté à une utilisation dans des environnements extrêmes.

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Description du produit

Nos suscepteurs d'épitaxie de silicium sont fabriqués par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température, garantissant une grande pureté. La surface du produit est dense, avec des particules fines et une dureté élevée, ce qui le rend résistant à la corrosion aux réactifs acides, alcalins, salins et organiques.
Notre produit est conçu pour obtenir le meilleur flux de gaz laminaire, garantissant la régularité du profil thermique. Nos suscepteurs d'épitaxie en silicium empêchent toute contamination ou diffusion d'impuretés pendant le processus de croissance épitaxiale, garantissant ainsi des résultats de haute qualité.
Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de produits rentables et de haute qualité à nos clients. Nos suscepteurs d'épitaxie en silicium présentent un avantage en termes de prix et sont exportés vers de nombreux marchés européens et américains. Nous visons à être votre partenaire à long terme, en fournissant des produits de qualité constante et un service client exceptionnel.

Paramètres des suscepteurs d'épitaxie de silicium

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure cristalline	Phase β du FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille des grains	µm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J kg-1 K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force de flexion	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (courbure 4pt, 1300℃)	430
Expansion thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Paramètres des suscepteurs d'épitaxie de silicium

- Éviter de se décoller et assurer un revêtement sur toutes les surfaces
Résistance à l'oxydation à haute température : Stable à haute température jusqu'à 1600°C
Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température.
Résistance à la corrosion : dureté élevée, surface dense et particules fines.
Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
- Obtenez le meilleur modèle de flux de gaz laminaire
- Garantir la régularité du profil thermique
- Empêcher toute contamination ou diffusion d'impuretés