Plate-forme satellite en graphite MOCVD revêtue de SiC

Semicorex est un fournisseur et fabricant réputé de plate-forme satellite en graphite MOCVD revêtue de SiC. Notre produit est spécialement conçu pour répondre aux besoins de l'industrie des semi-conducteurs en matière de croissance de la couche épitaxiale sur la puce de plaquette. Le produit est utilisé comme plaque centrale dans MOCVD, avec une conception en forme d'engrenage ou d'anneau. Il a une résistance élevée à la chaleur et à la corrosion, ce qui le rend idéal pour une utilisation dans des environnements extrêmes.

envoyer une demande

Description du produit

L'une des caractéristiques les plus importantes de notre plate-forme satellite en graphite MOCVD revêtue de SiC est sa capacité à assurer un revêtement sur toutes les surfaces, en évitant le décollement. Il a une résistance à l'oxydation à haute température, assurant une stabilité même à des températures élevées allant jusqu'à 1600°C. Le produit est fabriqué avec une grande pureté par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température. Il a une surface dense avec de fines particules, ce qui le rend très résistant à la corrosion des réactifs acides, alcalins, salins et organiques.
Notre plate-forme satellite en graphite MOCVD revêtue de SiC est conçue pour garantir le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire, assurant l'uniformité du profil thermique. Il empêche toute contamination ou diffusion d'impuretés, assurant une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce de plaquette. Nous offrons des prix compétitifs pour notre produit, le rendant accessible à de nombreux clients. Notre équipe s'engage à fournir un excellent service client et un excellent support. Nous couvrons de nombreux marchés européens et américains, et nous nous efforçons de devenir votre partenaire à long terme en fournissant une plate-forme satellite en graphite MOCVD revêtue de SiC fiable et de haute qualité. Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre produit.

Paramètres de la plate-forme satellite en graphite MOCVD revêtue de SiC

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques de la plate-forme satellite en graphite MOCVD revêtue de SiC

- Éviter le décollement et assurer le revêtement sur toutes les surfaces
Résistance à l'oxydation à haute température : Stable à haute température jusqu'à 1600°C
Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température.
Résistance à la corrosion : dureté élevée, surface dense et particules fines.
Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
- Obtenez le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire
- Garantir l'uniformité du profil thermique
- Empêcher toute contamination ou diffusion d'impuretés

Balises actives: Plate-forme satellite en graphite MOCVD revêtue de SiC, Chine, fabricants, fournisseurs, usine, sur mesure, en vrac, avancée, durable