Suscepteur MOCVD pour la croissance épitaxiale

Semicorex est l'un des principaux fournisseurs et fabricants de suscepteurs MOCVD pour la croissance épitaxiale. Notre produit est largement utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs, en particulier dans la croissance de la couche épitaxiale sur la puce. Notre suscepteur est conçu pour être utilisé comme plaque centrale dans MOCVD, avec une conception en forme d'engrenage ou d'anneau. Le produit présente une résistance élevée à la chaleur et à la corrosion, ce qui le rend stable dans des environnements extrêmes.

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Description du produit

L'un des avantages de notre suscepteur MOCVD pour la croissance épitaxiale est sa capacité à assurer un revêtement sur toutes les surfaces, en évitant le décollement. Le produit présente une résistance à l'oxydation à haute température, ce qui garantit une stabilité à des températures élevées jusqu'à 1 600 °C. La haute pureté de notre produit est obtenue grâce au dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température. La surface dense avec de fines particules garantit que le produit est très résistant à la corrosion causée par les réactifs acides, alcalins, salins et organiques.
Notre suscepteur MOCVD pour la croissance épitaxiale est conçu pour obtenir le meilleur schéma de flux de gaz laminaire, garantissant ainsi l'uniformité du profil thermique. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés, garantissant ainsi une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce.
Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre suscepteur MOCVD pour la croissance épitaxiale.

Paramètres du suscepteur MOCVD pour la croissance épitaxiale

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure cristalline	Phase β du FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille des grains	µm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J kg-1 K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force de flexion	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (courbure 4pt, 1300℃)	430
Expansion thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du suscepteur MOCVD pour la croissance épitaxiale

- Éviter de se décoller et assurer un revêtement sur toutes les surfaces
Résistance à l'oxydation à haute température : Stable à haute température jusqu'à 1600°C
Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température.
Résistance à la corrosion : dureté élevée, surface dense et particules fines.
Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
- Obtenez le meilleur modèle de flux de gaz laminaire
- Garantir la régularité du profil thermique
- Empêcher toute contamination ou diffusion d'impuretés