Suscepteur MOCVD pour croissance épitaxiale

Semicorex est l'un des principaux fournisseurs et fabricants de suscepteurs MOCVD pour la croissance épitaxiale. Notre produit est largement utilisé dans les industries des semi-conducteurs, en particulier dans la croissance de la couche épitaxiale sur la puce de plaquette. Notre suscepteur est conçu pour être utilisé comme plaque centrale dans MOCVD, avec une conception en forme d'engrenage ou d'anneau. Le produit a une résistance élevée à la chaleur et à la corrosion, ce qui le rend stable dans les environnements extrêmes.

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Description du produit

L'un des avantages de notre suscepteur MOCVD pour la croissance épitaxiale est sa capacité à assurer un revêtement sur toutes les surfaces, en évitant le pelage. Le produit a une résistance à l'oxydation à haute température, ce qui assure la stabilité à des températures élevées jusqu'à 1600°C. La haute pureté de notre produit est obtenue par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température. La surface dense avec de fines particules garantit que le produit est hautement résistant à la corrosion des réactifs acides, alcalins, salins et organiques.
Notre suscepteur MOCVD pour la croissance épitaxiale est conçu pour obtenir le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire, assurant l'uniformité du profil thermique. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés, assurant une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce de plaquette.
Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre suscepteur MOCVD pour la croissance épitaxiale.

Paramètres du suscepteur MOCVD pour la croissance épitaxiale

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du suscepteur MOCVD pour la croissance épitaxiale

- Éviter le décollement et assurer le revêtement sur toutes les surfaces
Résistance à l'oxydation à haute température : Stable à haute température jusqu'à 1600°C
Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température.
Résistance à la corrosion : dureté élevée, surface dense et particules fines.
Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
- Obtenez le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire
- Garantir l'uniformité du profil thermique
- Empêcher toute contamination ou diffusion d'impuretés