Suscepteur MOCVD revêtu de SiC

Semicorex est l'un des principaux fabricants et fournisseurs de suscepteurs MOCVD revêtus de SiC. Notre produit est spécialement conçu pour les industries des semi-conducteurs afin de développer la couche épitaxiale sur la puce de plaquette. Le support en graphite revêtu de carbure de silicium de haute pureté est utilisé comme plaque centrale dans le MOCVD, avec une conception en forme d'engrenage ou d'anneau. Notre suscepteur est largement utilisé dans les équipements MOCVD, assurant une haute résistance à la chaleur et à la corrosion, et une grande stabilité dans les environnements extrêmes.

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Description du produit

L'une des caractéristiques les plus importantes de notre suscepteur MOCVD à revêtement SiC est qu'il assure un revêtement sur toutes les surfaces, en évitant le pelage. Le produit a une résistance à l'oxydation à haute température, qui est stable à des températures élevées jusqu'à 1600°C. La haute pureté est obtenue en utilisant le dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température. Le produit a une surface dense avec de fines particules, ce qui le rend très résistant à la corrosion des réactifs acides, alcalins, salins et organiques.
Notre suscepteur MOCVD revêtu de SiC assure le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire, ce qui garantit l'uniformité du profil thermique. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés, assurant une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce de plaquette. Semicorex offre un avantage concurrentiel en matière de prix et couvre de nombreux marchés européens et américains. Notre équipe s'engage à fournir un excellent service client et un excellent support. Nous nous engageons à devenir votre partenaire à long terme, en fournissant des produits fiables et de haute qualité pour aider votre entreprise à se développer.

Paramètres du suscepteur MOCVD revêtu de SiC

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du suscepteur MOCVD revêtu de SiC

- Éviter le décollement et assurer le revêtement sur toutes les surfaces
Résistance à l'oxydation à haute température : Stable à haute température jusqu'à 1600°C
Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température.
Résistance à la corrosion : dureté élevée, surface dense et particules fines.
Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
- Obtenez le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire
- Garantir l'uniformité du profil thermique
- Empêcher toute contamination ou diffusion d'impuretés