Suscepteur MOCVD à revêtement SiC

Semicorex est l'un des principaux fabricants et fournisseurs de suscepteurs MOCVD à revêtement SiC. Notre produit est spécialement conçu pour les industries des semi-conducteurs afin de développer la couche épitaxiale sur la puce. Le support en graphite revêtu de carbure de silicium de haute pureté est utilisé comme plaque centrale dans le MOCVD, avec une conception en forme d'engrenage ou d'anneau. Notre suscepteur est largement utilisé dans les équipements MOCVD, garantissant une résistance élevée à la chaleur et à la corrosion, ainsi qu'une grande stabilité dans les environnements extrêmes.

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Description du produit

L'une des caractéristiques les plus importantes de notre suscepteur MOCVD à revêtement SiC est qu'il assure un revêtement sur toutes les surfaces, évitant ainsi le décollement. Le produit présente une résistance à l'oxydation à haute température, qui est stable à des températures élevées jusqu'à 1 600 °C. La haute pureté est obtenue grâce au dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température. Le produit a une surface dense avec de fines particules, ce qui le rend très résistant à la corrosion causée par les acides, les alcalis, le sel et les réactifs organiques.
Notre suscepteur MOCVD à revêtement SiC assure le meilleur modèle de flux de gaz laminaire, ce qui garantit l'uniformité du profil thermique. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés, garantissant ainsi une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce. Semicorex offre un avantage concurrentiel en termes de prix et couvre de nombreux marchés européens et américains. Notre équipe se consacre à fournir un excellent service client et une excellente assistance. Nous nous engageons à devenir votre partenaire à long terme, en fournissant des produits fiables et de haute qualité pour aider votre entreprise à se développer.

Paramètres du suscepteur MOCVD revêtu de SiC

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure cristalline	Phase β du FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille des grains	µm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J kg-1 K-1	640
Sublimation Temperature	℃	2700
Force de flexion	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (courbure 4pt, 1300℃)	430
Expansion thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du suscepteur MOCVD à revêtement SiC

- Éviter de se décoller et assurer un revêtement sur toutes les surfaces
Résistance à l'oxydation à haute température : Stable à haute température jusqu'à 1600°C
Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température.
Résistance à la corrosion : dureté élevée, surface dense et particules fines.
Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
- Obtenez le meilleur modèle de flux de gaz laminaire
- Garantir la régularité du profil thermique
- Empêcher toute contamination ou diffusion d'impuretés