Plaque réceptrice

La plaque susceptrice Semicorex est un composant crucial dans le processus de croissance épitaxiale, spécialement conçue pour transporter des tranches semi-conductrices lors du dépôt de films ou de couches minces. Dans le contexte du dépôt chimique en phase vapeur métal-organique (MOCVD), ces plaques sont particulièrement fabriquées à partir de matériaux capables de résister à des températures élevées et de fournir une surface stable pour la croissance de couches épitaxiales.

La plaque susceptrice utilisée dans ce processus est construite à partir de graphite recouvert de carbure de silicium (SiC) via un processus MOCVD lui-même. Le carbure de silicium offre une stabilité thermique, une résistance mécanique et une résistance aux réactions chimiques exceptionnelles, ce qui en fait un choix idéal pour les conditions exigeantes de croissance épitaxiale.

Lors du MOCVD, la plaque susceptrice joue un rôle central en transférant efficacement la chaleur aux tranches semi-conductrices. La plaque absorbe l'énergie de l'environnement et la rayonne vers les tranches, facilitant ainsi le dépôt contrôlé de films minces sur les surfaces des tranches. Ce contrôle précis de la température est essentiel pour obtenir des couches épitaxiales uniformes et de haute qualité, essentielles à la production de dispositifs semi-conducteurs avancés.

La plaque susceptrice des processus MOCVD, composée de graphite recouvert de SiC, sert de plate-forme fiable pour supporter les tranches de semi-conducteurs, garantissant un transfert de chaleur optimal et contribuant à la croissance épitaxiale réussie de films minces présentant les caractéristiques souhaitées pour les applications de semi-conducteurs.