Semicorex fournit des lingots SiC de type N avec 4 pouces, 6 pouces et 8 pouces. Nous sommes fabricant et fournisseur de wafers depuis de nombreuses années. Notre lingot SiC de type N de 4" 6" 8" a un bon avantage de prix et couvre la plupart des marchés européens et américains. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.
Spécification du lingot SiC de type N de 4 pouces |
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Articles |
Qualité de production |
Note factice |
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Polytype |
4H |
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Dopant |
Azote de type n |
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Résistivité |
0,015 ~ 0,025 ohm·cm |
0,015 ~ 0,028 ohm·cm |
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Diamètre |
100,25 ± 0,25 mm |
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Épaisseur |
â¥15 mm |
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Erreur d'orientation de surface |
4°vers<11-20>±0.2° |
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Orientation plate primaire |
[1- 100]±5.0° |
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Longueur plate primaire |
32,5 ± 1,5 mm |
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Appartement secondaire |
90,0 ° CW à partir du primaire ± 5,0 °, face en silicone vers le haut |
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Longueur plate secondaire |
18 ± 1,5 mm |
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Densité de microtuyaux |
â¤0.5 ea/cm2 |
â¤10 ch/cm2 |
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TPL |
â¤2000 ea/cm2 |
-- |
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DNT |
â¤500 ea/cm2 |
-- |
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Fissures de bord |
â¤3 eaï¼â¤1mm/ea |
â¤5 eaï¼â¤3mm/ea |
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Zones polytypiques |
Aucun |
â¤5% zone |
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Retraits de bord |
â¤3 eaï¼â¤1mm largeur et profondeur |
â¤5 eaï¼â¤2mm largeur et profondeur |
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Étiqueter |
C-face |
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Emballage |
cassette de lingot unitaire, conditionnement sous vide |
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Spécification du lingot SiC de type N de 6 pouces |
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Articles |
Qualité de production |
Note factice |
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Polytype |
4H |
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Dopant |
Azote de type n |
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Résistivité |
0,015~0,025 |
0,015~0,028 |
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Diamètre |
150,25 ± 0,25 mm |
|||||||
Épaisseur |
â¥15 mm |
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Erreur d'orientation de surface |
4°vers<11-20>±0.2° |
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Orientation plate primaire |
[1- 100]±5.0° |
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Longueur plate primaire |
47,5 ± 1,5 mm |
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Densité de microtuyaux |
â¤0.5 ea/cm2 |
â¤10 ch/cm2 |
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TPL |
â¤2000 ea/cm2 |
-- |
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DNT |
â¤500 ea/cm2 |
-- |
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Fissures de bord |
â¤3 eaï¼â¤1mm/ea |
â¤5 eaï¼â¤3mm/ea |
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Zones polytypiques |
Aucun |
â¤5% zone |
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Retraits de bord |
â¤3 eaï¼â¤1mm largeur et profondeur |
â¤5 eaï¼â¤2mm largeur et profondeur |
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Étiqueter |
C-face |
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Emballage |
cassette de lingot unitaire, conditionnement sous vide |
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Spécification du lingot SiC de type N de 8 pouces |
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Articles |
Qualité de production |
Grade de recherche |
Note factice |
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Polytype |
4H |
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Dopant |
Azote de type n |
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Résistivité |
0,015~0,028 |
0.01~0.04 |
N / A |
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Diamètre |
200,25 ± 0,25 mm |
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Épaisseur |
N / A |
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Erreur d'orientation de surface |
4°vers<11-20>±0.5° |
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Orientation de l'encoche |
[1- 100]±5.0° |
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Profondeur d'encoche |
1 ~ 1,5 mm |
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Densité de microtuyaux |
â¤2 ch/cm2 |
â¤10 ch/cm2 |
â¤50 ch/cm2 |
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TPL |
â¤2000 ea/cm2 |
â¤500 ea/cm2 |
-- |
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DNT |
â¤500 ea/cm2 |
â¤1000 ea/cm2 |
-- |
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Fissures de bord |
â¤3 eaï¼â¤1mm/ea |
â¤4 eaï¼â¤2mm/ea |
â¤5 eaï¼â¤3mm/ea |
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Zones polytypiques |
Aucun |
â¤20% superficie |
â¤30% superficie |
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Retraits de bord |
â¤3 eaï¼â¤1mm largeur et profondeur |
â¤4 eaï¼â¤2mm largeur et profondeur |
â¤5 eaï¼â¤2mm largeur et profondeur |
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Étiqueter |
C-face |
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Emballage |
cassette de lingot unitaire, conditionnement sous vide |