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Plaquette HPSI SiC semi-isolante de 6 pouces

Semicorex propose différents types de plaquettes SiC 4H et 6H. Nous sommes fabricant et fournisseur de produits en carbure de silicium depuis de nombreuses années. Notre plaquette SiC HPSI semi-isolante de 6 pouces doublement polie présente un bon avantage en termes de prix et couvre la plupart des marchés européens et américains. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

Semicorex propose une gamme complète de produits de plaquettes en carbure de silicium (SiC), comprenant des substrats 4H et 6H avec des plaquettes semi-isolantes de type N, de type P et de haute pureté, elles peuvent être avec ou sans épitaxie.

Le diamètre de 6 pouces de notre plaquette SiC HPSI semi-isolante de 6 pouces offre une grande surface pour la fabrication de dispositifs électroniques de puissance tels que les MOSFET, les diodes Schottky et d'autres applications haute tension. La plaquette HPSI SiC semi-isolante de 6 pouces est principalement utilisée dans les communications 5G, les systèmes radar, les têtes de guidage, les communications par satellite, les avions de guerre et d'autres domaines, avec les avantages d'améliorer la portée RF, d'identification à très longue portée, d'anti-brouillage et de haute Les applications de transfert d'informations rapides et de grande capacité sont considérées comme le substrat le plus idéal pour la fabrication de dispositifs électriques à micro-ondes.

Caractéristiques:

● Diamètre : 6″

●Double-poli

● Grade : Production, Recherche, Factice

● Plaquette HPSI 4H-SiC

● Épaisseur : 500 ± 25 μm

● Densité des microtubes : ≤1 pièce/cm²~ ≤15 pièce/cm²

Articles	Production	Recherche	Factice
Paramètres du cristal
Polytype	4H
Orientation de la surface sur l'axe	<0001>
Orientation de la surface hors axe	0±0,2°
(0004)FWHM	≤45arcsec	≤60arcsec	≤1OOarcsec
Paramètres électriques
Taper	HPSI
Résistivité	≥1 E8ohm·cm	100 % de surface > 1 E5ohm·cm	70 % de surface > 1 E5ohm·cm
Paramètres mécaniques
Diamètre	150 ± 0,2 mm
Épaisseur	500 ± 25 μm
Orientation principale à plat	[1-100]±5° ou cran
Longueur/profondeur du plat principal	47,5 ± 1,5 mm ou 1 - 1,25 mm
TTV	≤5 μm	≤10 μm	≤15 μm
LTV	≤3 μm(5mm*5mm)	≤5 μm(5mm*5mm)	≤10 μm(5mm*5mm)
Arc	-15 μm ~ 15 μm	-35 μm ~ 35 μm	-45 μm ~ 45 μm
Chaîne	≤35 μm	≤45 μm	≤55 μm
Rugosité avant (face Si) (AFM)	Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm)
Structure
Densité des microtubes	≤1 pièce/cm²	≤10 pièce/cm²	≤15 pièce/cm²
Densité d'inclusion de carbone	≤1 pièce/cm²	QUE
Vide hexagonal	Aucun	QUE
Impuretés métalliques	≤5E12atomes/cm²		QUE
Qualité avant
Devant	Et
Finition superficielle	Si-face CMP
Particules	≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm)	QUE
Rayures	≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre	Longueur cumulée≤300mm	QUE
Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination	Aucun		QUE
Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales	Aucun
Zones polytypes	Aucun	Superficie cumulée≤20 %	Superficie cumulée≤30 %
Marquage laser frontal	Aucun
Retour Qualité
Finition arrière	CMP face C
Rayures	≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre	QUE
Défauts arrière (éclats de bord/empreintes)	Aucun
Rugosité du dos	Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm)
Marquage laser au dos	"SEMI"
Bord
Bord	Chanfreiner
Conditionnement
Conditionnement	Epi-ready avec emballage sous vide Conditionnement de cassettes multi-wafers
*Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD.