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Plaquette SiC HPSI semi-isolante de 6 pouces

Semicorex propose différents types de plaquettes SiC 4H et 6H. Nous sommes fabricant et fournisseur de produits en carbure de silicium depuis de nombreuses années. Notre plaquette SiC HPSI semi-isolante de 6 pouces à double polissage présente un bon avantage en termes de prix et couvre la plupart des marchés européens et américains. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

Semicorex propose une gamme complète de produits de plaquettes de carbure de silicium (SiC), comprenant des substrats 4H et 6H avec des plaquettes semi-isolantes de type N, de type P et de haute pureté, elles peuvent être avec ou sans épitaxie.

Le diamètre de 6 pouces de notre plaquette SiC HPSI semi-isolante de 6 pouces offre une grande surface pour la fabrication de dispositifs électroniques de puissance tels que les MOSFET, les diodes Schottky et d'autres applications haute tension. La plaquette SiC HPSI semi-isolante de 6 pouces est principalement utilisée dans les communications 5G, les systèmes radar, les têtes de guidage, les communications par satellite, les avions de guerre et d'autres domaines, avec les avantages d'améliorer la gamme RF, l'identification ultra longue portée, l'anti-brouillage et la haute Les applications de transfert d'informations à haute vitesse et à haute capacité sont considérées comme le substrat le plus idéal pour la fabrication de dispositifs de puissance micro-ondes.

Caractéristiques:

â Diamètre : 6â³

âDouble-poli

â Niveau : Production, Recherche, Factice

â Plaquette HPSI 4H-SiC

â Épaisseur : 500±25 μm

â Micropipe Densité : â¤1 ea/cm²~ â¤15 ch/cm²

Articles	Production	Recherche	Factice
Paramètres de cristal
Polytype	4H
Orientation de la surface sur l'axe	<0001>
Orientation de la surface hors axe	0±0.2°
(0004)FWHM	â¤45arcsec	â¤60arcsec	â¤1OOarcsec
Paramètres électriques
Taper	HPSI
Résistivité	â¥1 E8ohm·cm	100% surface > 1 E5ohm·cm	70% surface > 1 E5ohm·cm
Paramètres mécaniques
Diamètre	150±0,2 millimètres
Épaisseur	500±25 μm
Orientation plate principale	[1-100]±5° ou encoche
Longueur/profondeur du plat primaire	47.5±1.5mm ou 1 - 1.25mm
TTV	â¤5 μm	â¤10 μm	â¤15 μm
LTV	â¤3 μm(5mm*5mm)	â¤5 μm(5mm*5mm)	â¤10 μm(5mm*5mm)
Arc	-15μm ~ 15μm	-35μm ~ 35μm	-45μm ~ 45μm
Chaîne	â¤35 μm	â¤45 μm	â¤55 μm
Rugosité avant (Si-face) (AFM)	Raâ¤0.2nm (5μm*5μm)
Structure
Densité de microtuyaux	â¤1 ch/cm²	â¤10 ch/cm²	â¤15 ch/cm²
Densité d'inclusion de carbone	â¤1 ch/cm²	N / A
Vide hexagonal	Aucun	N / A
Impuretés métalliques	â¤5E12atomes/cm²		N / A
Qualité avant
Devant	Si
Finition de surface	Si-face CMP
Particules	â¤60ea/wafer (tailleâ¥0.3μm)	N / A
Rayures	â¤5ea/mm. Longueur cumulée â¤Diamètre	Longueur cumuléeâ¤300mm	N / A
Peau d'orange/piqûres/taches/stries/fissures/contamination	Aucun		N / A
Puces de bord/retraits/fracture/plaques hexagonales	Aucun
Zones polytypiques	Aucun	Superficie cumuléeâ¤20%	Superficie cumuléeâ¤30%
Marquage laser avant	Aucun
Retour Qualité
Finition arrière	CMP face C
Rayures	â¤5ea/mm, longueur cumuléeâ¤2*Diamètre	N / A
Défauts au dos (éclats de bord/indentations)	Aucun
Rugosité du dos	Raâ¤0.2nm (5μm*5μm)
Marquage laser arrière	"SEMI"
Bord
Bord	Chanfreiner
Emballage
Emballage	Epi-ready avec emballage sous vide Emballage de cassette multi-wafers
*Remarquesï¼ "NA" signifie aucune demande Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD.