Plaquette de substrat SiC de type P

Semicorex propose une gamme complète de produits de plaquettes en carbure de silicium (SiC), comprenant des substrats 4H et 6H avec des plaquettes semi-isolantes de type N, de type P et de haute pureté, elles peuvent être avec ou sans épitaxie.

La plaquette de substrat SiC Semicorex de type P est conçue avec une finition de surface doublement polie, garantissant une planéité et une qualité de surface supérieures. Cette fonctionnalité est cruciale pour garantir un dépôt cohérent et précis des matériaux semi-conducteurs lors de la fabrication des dispositifs.

Notre plaquette de substrat SiC de type P offre une excellente conductivité électrique, ce qui en fait un matériau de substrat idéal pour les appareils électroniques à haute température et haute puissance. Ses propriétés uniques lui permettent de bien fonctionner dans des environnements difficiles, notamment des températures élevées, des rayonnements élevés et des conditions corrosives.