Plaquette de substrat SiC de type P

Semicorex propose une gamme complète de produits de plaquettes de carbure de silicium (SiC), comprenant des substrats 4H et 6H avec des plaquettes semi-isolantes de type N, de type P et de haute pureté, elles peuvent être avec ou sans épitaxie.

La plaquette de substrat SiC de type P Semicorex est conçue avec une double finition de surface polie, assurant une planéité et une qualité de surface supérieures. Cette caractéristique est cruciale pour assurer un dépôt cohérent et précis des matériaux semi-conducteurs lors de la fabrication du dispositif.

Notre plaquette de substrat SiC de type P offre une excellente conductivité électrique, ce qui en fait un matériau de substrat idéal pour les appareils électroniques à haute température et haute puissance. Ses propriétés uniques lui permettent de bien fonctionner dans des environnements difficiles, y compris des températures élevées, un rayonnement élevé et des conditions corrosives.