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Substrat SiC de type N de 4 pouces
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Substrat SiC de type N de 4 pouces

Semicorex propose différents types de plaquettes SiC 4H et 6H. Nous sommes fabricant et fournisseur de produits en carbure de silicium depuis de nombreuses années. Notre substrat SiC de type N de 4 pouces a un bon avantage de prix et couvre la plupart des marchés européens et américains. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

Semicorex propose une gamme complète de produits de plaquettes de carbure de silicium (SiC), comprenant des substrats 4H et 6H avec des plaquettes semi-isolantes de type N, de type P et de haute pureté, elles peuvent être avec ou sans épitaxie. Le substrat SiC (carbure de silicium) de type N de 4 pouces est un type de plaquette de haute qualité fabriquée à partir d'un monocristal de carbure de silicium avec un dopage de type N.

Le substrat SiC de type N de 4 pouces est principalement utilisé dans les véhicules à énergie nouvelle, la transmission et la sous-station haute tension, les produits blancs, les trains à grande vitesse, les moteurs électriques, les onduleurs photovoltaïques, les alimentations pulsées et d'autres domaines, qui ont les avantages de réduire l'équipement la perte d'énergie, l'amélioration de la fiabilité des équipements, la réduction de la taille des équipements et l'amélioration des performances des équipements, et présentent des avantages irremplaçables dans la fabrication d'appareils électroniques de puissance.

Articles

Production

Recherche

Factice

Paramètres de cristal

Polytype

4H

Erreur d'orientation de surface

<11-20 >4±0.15°

Paramètres électriques

Dopant

Azote de type n

Résistivité

0.015-0.025ohm·cm

Paramètres mécaniques

Diamètre

99,5 - 100 mm

Épaisseur

350±25 μm

Orientation plate primaire

[1-100]±5°

Longueur plate primaire

32,5 ± 1,5 mm

Position à plat secondaire

90° CW à partir du plat primaire ±5°. face en silicone vers le haut

Longueur plate secondaire

18±1.5mm

TTV

â¤5 μm

â¤10 μm

â¤20 μm

LTV

â¤2 μm(5mm*5mm)

â¤5 μm(5mm*5mm)

N / A

Arc

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Chaîne

â¤20 μm

â¤45 μm

â¤50 μm

Rugosité avant (Si-face) (AFM)

Raâ¤0.2nm (5μm*5μm)

Structure

Densité de microtuyaux

â¤1 ch/cm2

â¤5 ea/cm2

â¤10 ch/cm2

Impuretés métalliques

â¤5E10atomes/cm2

N / A

TPL

â¤1500 ea/cm2

â¤3000 ea/cm2

N / A

DNT

â¤500 ea/cm2

â¤1000 ea/cm2

N / A

Qualité avant

Devant

Si

Finition de surface

Si-face CMP

Particules

â¤60ea/wafer (tailleâ¥0.3μm)

N / A

Rayures

â¤2ea/mm. Longueur cumulée â¤Diamètre

Longueur cumuléeâ¤2*Diamètre

N / A

Peau d'orange/piqûres/taches/stries/fissures/contamination

Aucun

N / A

Puces de bord/retraits/fracture/plaques hexagonales

Aucun

N / A

Zones polytypiques

Aucun

Superficie cumuléeâ¤20%

Superficie cumuléeâ¤30%

Marquage laser avant

Aucun

Retour Qualité

Finition arrière

CMP face C

Rayures

â¤5ea/mm, longueur cumuléeâ¤2*Diamètre

N / A

Défauts au dos (éclats de bord/indentations)

Aucun

Rugosité du dos

Raâ¤0.2nm (5μm*5μm)

Marquage laser arrière

1 mm (du bord supérieur)

Bord

Bord

Chanfreiner

Emballage

Emballage

Le sac intérieur est rempli d'azote et le sac extérieur est aspiré.

Cassette multi-wafers, épi-ready.

*Remarquesï¼ "NA" signifie aucune demande Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD.





Balises actives: Substrat SiC de type N de 4 pouces, Chine, fabricants, fournisseurs, usine, personnalisé, en vrac, avancé, durable

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