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Substrat de plaquette poli double face HPSI SiC semi-isolant de haute pureté de 4 pouces
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Substrat de plaquette poli double face HPSI SiC semi-isolant de haute pureté de 4 pouces

Semicorex propose différents types de plaquettes SiC 4H et 6H. Nous sommes fabricant et fournisseur de substrats de plaquettes depuis de nombreuses années. Notre substrat de plaquette polie double face HPSI SiC semi-isolant de 4 pouces de haute pureté a un bon avantage de prix et couvre la plupart des marchés européens et américains. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

Semicorex propose une gamme complète de produits de plaquettes de carbure de silicium (SiC), comprenant des substrats 4H et 6H avec des plaquettes semi-isolantes de type N, de type P et de haute pureté, elles peuvent être avec ou sans épitaxie.

Présentation de notre substrat de plaquette polie double face HPSI SiC semi-isolant de haute pureté de 4 pouces, un produit haut de gamme conçu pour répondre aux exigences des applications électroniques et semi-conducteurs avancées.

Le substrat de plaquette polie double face HPSI SiC semi-isolant de haute pureté de 4 pouces est principalement utilisé dans les communications 5G, les systèmes radar, les têtes de guidage, les communications par satellite, les avions de guerre et d'autres domaines, avec les avantages d'améliorer la gamme RF, ultra longue portée l'identification, l'anti-brouillage et le transfert d'informations haute vitesse et haute capacité et d'autres applications, est considéré comme le substrat le plus idéal pour la fabrication de dispositifs de puissance micro-ondes.


Caractéristiques:

â Diamètre : 4â³

â Double poli

âl Grade: Production, Recherche, Dummy

â Plaquette HPSI 4H-SiC

â Épaisseur : 500±25 μm

âl Micropipe Densité : â¤1 ea/cm2~ â¤10 ch/cm2


Articles

Production

Recherche

Factice

Paramètres de cristal

Polytype

4H

Orientation de la surface sur l'axe

<0001>

Orientation de la surface hors axe

0±0.2°

(0004)FWHM

â¤45arcsec

â¤60arcsec

â¤1OOarcsec

Paramètres électriques

Taper

HPSI

Résistivité

â¥1 E9ohm·cm

100% surface > 1 E5ohm·cm

70% surface > 1 E5ohm·cm

Paramètres mécaniques

Diamètre

99,5 - 100 mm

Épaisseur

500±25 μm

Orientation plate primaire

[1-100]±5°

Longueur plate primaire

32,5 ± 1,5 mm

Position à plat secondaire

90° CW à partir du plat primaire ±5°. face en silicone vers le haut

Longueur plate secondaire

18±1.5mm

TTV

â¤5 μm

â¤10 μm

â¤20 μm

LTV

â¤2 μm(5mm*5mm)

â¤5 μm(5mm*5mm)

N / A

Arc

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Chaîne

â¤20 μm

â¤45 μm

â¤50 μm

Rugosité avant (Si-face) (AFM)

Raâ¤0.2nm (5μm*5μm)

Structure

Densité de microtuyaux

â¤1 ch/cm2

â¤5 ea/cm2

â¤10 ch/cm2

Densité d'inclusion de carbone

â¤1 ch/cm2

N / A

Vide hexagonal

Aucun

N / A

Impuretés métalliques

â¤5E12atomes/cm2

N / A

Qualité avant

Devant

Si

Finition de surface

Si-face CMP

Particules

â¤60ea/wafer (tailleâ¥0.3μm)

N / A

Rayures

â¤2ea/mm. Longueur cumulée â¤Diamètre

Longueur cumuléeâ¤2*Diamètre

N / A

Peau d'orange/piqûres/taches/stries/fissures/contamination

Aucun

N / A

Puces de bord/retraits/fracture/plaques hexagonales

Aucun

Zones polytypiques

Aucun

Superficie cumuléeâ¤20%

Superficie cumuléeâ¤30%

Marquage laser avant

Aucun

Retour Qualité

Finition arrière

CMP face C

Rayures

â¤5ea/mm, longueur cumuléeâ¤2*Diamètre

N / A

Défauts au dos (éclats de bord/indentations)

Aucun

Rugosité du dos

Raâ¤0.2nm (5μm*5μm)

Marquage laser arrière

1 mm (du bord supérieur)

Bord

Bord

Chanfreiner

Emballage

Emballage

Le sac intérieur est rempli d'azote et le sac extérieur est aspiré.

Cassette multi-wafers, épi-ready.

*Remarquesï¼ "NA" signifie aucune demande Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD.




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