Structure en barillet pour réacteur épitaxial à semi-conducteurs

Avec ses propriétés exceptionnelles de conductivité thermique et de distribution de la chaleur, la structure cylindrique Semicorex pour réacteur épitaxial à semi-conducteurs est le choix parfait pour une utilisation dans les processus LPE et d'autres applications de fabrication de semi-conducteurs. Son revêtement SiC haute pureté offre une protection supérieure dans les environnements à haute température et corrosifs.

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Description du produit

La structure cylindrique Semicorex pour réacteur épitaxial semi-conducteur est le choix incontournable pour les applications de suscepteurs en graphite hautes performances qui nécessitent une résistance exceptionnelle à la chaleur et à la corrosion. Son revêtement SiC de haute pureté et sa densité et sa conductivité thermique supérieures offrent des propriétés de protection et de répartition de la chaleur supérieures, garantissant des performances fiables et constantes même dans les environnements les plus difficiles.

Notre structure cylindrique pour réacteur épitaxial à semi-conducteurs est conçue pour obtenir le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire, garantissant l'uniformité du profil thermique. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés, assurant une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce de plaquette.

Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre structure en barillet pour réacteur épitaxial à semi-conducteurs.

Paramètres de la structure en barillet pour le réacteur épitaxial à semi-conducteur

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques de la structure en barillet pour réacteur épitaxial à semi-conducteurs

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur revêtu de carbure de silicium utilisé pour la croissance de monocristaux a une planéité de surface très élevée.

- Réduit la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliore efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.

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