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Structure de baril pour réacteur épitaxial à semi-conducteurs

Structure de baril pour réacteur épitaxial à semi-conducteurs

Avec ses propriétés exceptionnelles de conductivité thermique et de distribution de chaleur, la structure en barillet Semicorex pour réacteur épitaxial à semi-conducteurs est le choix idéal pour une utilisation dans les processus LPE et d'autres applications de fabrication de semi-conducteurs. Son revêtement SiC de haute pureté offre une protection supérieure dans les environnements corrosifs et à haute température.

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Description du produit

La structure cylindrique Semicorex pour réacteur épitaxial à semi-conducteurs est le choix idéal pour les applications de suscepteurs en graphite hautes performances qui nécessitent une résistance exceptionnelle à la chaleur et à la corrosion. Son revêtement SiC de haute pureté ainsi que sa densité et sa conductivité thermique supérieures offrent des propriétés de protection et de distribution de chaleur supérieures, garantissant des performances fiables et constantes, même dans les environnements les plus difficiles.

Notre structure de baril pour réacteur épitaxial à semi-conducteurs est conçue pour obtenir le meilleur modèle d'écoulement de gaz laminaire, garantissant l'uniformité du profil thermique. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés, garantissant ainsi une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce.

Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre structure en baril pour réacteur épitaxial à semi-conducteurs.


Paramètres de structure de baril pour réacteur épitaxial à semi-conducteurs

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD

Structure en cristal

Phase β du FCC

Densité

g/cm³

3.21

Dureté

Dureté Vickers

2500

Taille d'un grain

µm

2~10

Pureté chimique

%

99.99995

Capacité thermique

J kg-1 K-1

640

Température de sublimation

2700

Force de flexion

MPa (RT 4 points)

415

Module d'Young

Gpa (courbure 4pt, 1300℃)

430

Expansion thermique (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivité thermique

(W/mK)

300


Caractéristiques de la structure du baril pour le réacteur épitaxial à semi-conducteurs

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur recouvert de carbure de silicium utilisé pour la croissance monocristalline présente une très grande planéité de surface.

- Réduisez la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliorez efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.






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