Baril de suscepteur recouvert de SiC pour chambre de réacteur épitaxial

Le baril de suscepteur à revêtement SiC de Semicorex pour chambre de réacteur épitaxial est un produit de qualité supérieure, fabriqué selon les normes les plus élevées de précision et de durabilité. Il offre une excellente conductivité thermique, une excellente résistance à la corrosion et convient parfaitement à la plupart des réacteurs épitaxiaux dans la fabrication de semi-conducteurs.
Notre baril de suscepteur revêtu de SiC pour chambre de réacteur épitaxial est conçu pour obtenir le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire, garantissant ainsi l'uniformité du profil thermique. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés, garantissant ainsi une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce.
Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre baril de suscepteur revêtu de SiC pour chambre de réacteur épitaxial.

Paramètres du baril suscepteur revêtu de SiC pour chambre de réacteur épitaxial

Caractéristiques du baril de suscepteur revêtu de SiC pour chambre de réacteur épitaxial

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur recouvert de carbure de silicium utilisé pour la croissance monocristalline présente une très grande planéité de surface.

- Réduisez la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliorez efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.