Le corps de suscepteur revêtu de SiC pour chambre de réacteur LPE de Semicorex est une solution hautement fiable pour les processus de fabrication de semi-conducteurs, offrant des propriétés supérieures de distribution de chaleur et de conductivité thermique. Il est également très résistant à la corrosion, à l'oxydation et aux températures élevées.
Le corps de suscepteur revêtu de SiC pour chambre de réacteur LPE de Semicorex est un produit de qualité supérieure, fabriqué selon les normes les plus élevées de précision et de durabilité. Il offre une excellente conductivité thermique, une résistance à la corrosion et est parfaitement adapté aux applications LPE dans la fabrication de semi-conducteurs.
Notre corps de suscepteur revêtu de SiC pour chambre de réacteur LPE est conçu pour obtenir le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire, garantissant l'uniformité du profil thermique. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés, assurant une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce de plaquette.
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Paramètres du corps de suscepteur revêtu de SiC pour chambre de réacteur LPE
Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC |
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Propriétés SiC-CVD |
||
Structure en cristal |
Phase β FCC |
|
Densité |
g/cm³ |
3.21 |
Dureté |
Dureté Vickers |
2500 |
Taille d'un grain |
μm |
2~10 |
Pureté chimique |
% |
99.99995 |
Capacité thermique |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Température de sublimation |
℃ |
2700 |
Force Felexurale |
MPa (RT 4 points) |
415 |
Module de Young |
Gpa (pli 4pt, 1300â) |
430 |
Dilatation Thermique (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Conductivité thermique |
(W/mK) |
300 |
Caractéristiques du corps de suscepteur revêtu de SiC pour chambre de réacteur LPE
- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.
- Le suscepteur revêtu de carbure de silicium utilisé pour la croissance de monocristaux a une planéité de surface très élevée.
- Réduit la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliore efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.
- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.
- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.