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Baril de suscepteur recouvert de SiC pour chambre de réacteur épitaxial

Baril de suscepteur recouvert de SiC pour chambre de réacteur épitaxial

Le baril de suscepteur à revêtement SiC de Semicorex pour chambre de réacteur épitaxial est une solution hautement fiable pour les processus de fabrication de semi-conducteurs, présentant des propriétés supérieures de distribution de chaleur et de conductivité thermique. Il est également très résistant à la corrosion, à l’oxydation et aux températures élevées.

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Description du produit

Le baril de suscepteur à revêtement SiC de Semicorex pour chambre de réacteur épitaxial est un produit de qualité supérieure, fabriqué selon les normes les plus élevées de précision et de durabilité. Il offre une excellente conductivité thermique, une excellente résistance à la corrosion et convient parfaitement à la plupart des réacteurs épitaxiaux dans la fabrication de semi-conducteurs.
Notre baril de suscepteur revêtu de SiC pour chambre de réacteur épitaxial est conçu pour obtenir le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire, garantissant ainsi l'uniformité du profil thermique. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés, garantissant ainsi une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce.
Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre baril de suscepteur revêtu de SiC pour chambre de réacteur épitaxial.


Paramètres du baril suscepteur revêtu de SiC pour chambre de réacteur épitaxial

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD

Structure en cristal

Phase β du FCC

Densité

g/cm³

3.21

Dureté

Dureté Vickers

2500

Taille d'un grain

µm

2~10

Pureté chimique

%

99.99995

Capacité thermique

J kg-1 K-1

640

Température de sublimation

2700

Force de flexion

MPa (RT 4 points)

415

Module d'Young

Gpa (courbure 4pt, 1300℃)

430

Expansion thermique (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivité thermique

(W/mK)

300


Caractéristiques du baril de suscepteur revêtu de SiC pour chambre de réacteur épitaxial

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur recouvert de carbure de silicium utilisé pour la croissance monocristalline présente une très grande planéité de surface.

- Réduisez la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliorez efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.




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