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Suscepteur de baril revêtu de carbure de silicium SiC
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Suscepteur de baril revêtu de carbure de silicium SiC

Semicorex est l'un des principaux fabricants indépendants de suscepteurs cylindriques à revêtement SiC en carbure de silicium et de graphite de haute pureté usiné avec précision, se concentrant sur les domaines du graphite revêtu de carbure de silicium, de la céramique de carbure de silicium et du MOCVP de la fabrication de semi-conducteurs. Notre suscepteur à baril revêtu de carbure de silicium SiC présente un bon avantage en termes de prix et couvre de nombreux marchés européens et américains. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

SemicorexSuscepteur de baril revêtu de carbure de silicium SiCest un produit en graphite recouvert de SiC hautement purifié, qui présente une résistance élevée à la chaleur et à la corrosion. Il convient au LPE. LeCarbure de siliciumSuscepteur en baril revêtu de SiC utilisé dans les processus qui forment la couche épixiale sur des tranches semi-conductrices, qui présente une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de distribution de chaleur.

Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notreCarbure de siliciumSuscepteur de baril recouvert de SiC.


Paramètres deCarbure de silicium revêtu de SiCRécepteur de baril

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD

Structure en cristal

Phase β du FCC

Densité

g/cm³

3.21

Dureté

Dureté Vickers

2500

Taille d'un grain

µm

2~10

Pureté chimique

%

99.99995

Capacité thermique

J kg-1 K-1

640

Température de sublimation

2700

Force de flexion

MPa (RT 4 points)

415

Module d'Young

Gpa (courbure 4pt, 1300℃)

430

Expansion thermique (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivité thermique

(W/mK)

300


Les caractéristiques deCarbure de silicium revêtu de SiCRécepteur de baril

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur recouvert de carbure de silicium utilisé pour la croissance des monocristaux présente une très grande planéité de surface.

- Réduisez la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliorez efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.




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