Suscepteur de barillet de réacteur revêtu de carbure

Le suscepteur de barillet de réacteur revêtu de carbure Semicorex est un produit en graphite de qualité supérieure revêtu de SiC de haute pureté, conçu spécifiquement pour les procédés LPE. Avec une excellente résistance à la chaleur et à la corrosion, ce produit est parfait pour une utilisation dans les applications de fabrication de semi-conducteurs.

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Description du produit

Si vous recherchez un suscepteur en graphite hautes performances pour la formation de couches épitaxiales sur des tranches de semi-conducteurs, le suscepteur à barillet de réacteur revêtu de carbure Semicorex est un excellent choix. Son revêtement en carbure de silicium offre une répartition de la chaleur et une conductivité thermique supérieures, garantissant des performances exceptionnelles même dans les environnements à haute température les plus exigeants.

Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture d'un suscepteur de baril de réacteur revêtu de carbure de haute qualité et rentable, nous donnons la priorité à la satisfaction du client et fournissons des solutions rentables. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme, offrant des produits de haute qualité et un service client exceptionnel.

Paramètres du suscepteur de baril de réacteur revêtu de carbure

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du suscepteur de baril de réacteur revêtu de carbure

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur revêtu de carbure de silicium utilisé pour la croissance de monocristaux a une planéité de surface très élevée.

- Réduit la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliore efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.