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Suscepteur de baril de réacteur recouvert de carbure

Suscepteur de baril de réacteur recouvert de carbure

Le suscepteur de baril de réacteur à revêtement en carbure Semicorex est un produit en graphite de qualité supérieure recouvert de SiC de haute pureté, conçu spécifiquement pour les processus LPE. Avec une excellente résistance à la chaleur et à la corrosion, ce produit est parfait pour une utilisation dans les applications de fabrication de semi-conducteurs.

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Description du produit

Si vous recherchez un suscepteur en graphite hautes performances pour la formation de couches épitaxiales sur des tranches semi-conductrices, le suscepteur à barillet de réacteur à revêtement en carbure Semicorex est un excellent choix. Son revêtement en carbure de silicium offre une répartition thermique et une conductivité thermique supérieures, garantissant des performances exceptionnelles même dans les environnements à haute température les plus exigeants.

Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de suscepteurs de baril de réacteur recouverts de carbure de haute qualité et économiques, nous accordons la priorité à la satisfaction du client et fournissons des solutions rentables. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme, en fournissant des produits de haute qualité et un service client exceptionnel.


Paramètres du suscepteur du baril de réacteur recouvert de carbure

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD

Structure en cristal

Phase β du FCC

Densité

g/cm³

3.21

Dureté

Dureté Vickers

2500

Taille d'un grain

µm

2~10

Pureté chimique

%

99.99995

Capacité thermique

J kg-1 K-1

640

Température de sublimation

2700

Force de flexion

MPa (RT 4 points)

415

Module d'Young

Gpa (courbure 4pt, 1300℃)

430

Expansion thermique (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivité thermique

(W/mK)

300


Caractéristiques du suscepteur de baril de réacteur recouvert de carbure

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur recouvert de carbure de silicium utilisé pour la croissance monocristalline présente une très grande planéité de surface.

- Réduisez la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliorez efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.




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