Suscepteur cylindrique pour épitaxie en phase liquide

Si vous avez besoin d'un suscepteur en graphite capable de fonctionner de manière fiable et constante même dans les environnements à haute température et corrosifs les plus exigeants, le suscepteur cylindrique Semicorex pour l'épitaxie en phase liquide est le choix parfait. Son revêtement en carbure de silicium offre une excellente conductivité thermique et une excellente répartition de la chaleur, garantissant des performances exceptionnelles dans les applications de fabrication de semi-conducteurs.

envoyer une demande

Description du produit

Le suscepteur cylindrique Semicorex pour l'épitaxie en phase liquide est le choix incontournable pour les applications de fabrication de semi-conducteurs qui nécessitent une résistance élevée à la chaleur et à la corrosion. Son revêtement SiC de haute pureté et sa conductivité thermique exceptionnelle offrent des propriétés de protection et de répartition de la chaleur supérieures, garantissant des performances fiables et constantes même dans les environnements les plus difficiles.

Notre suscepteur cylindrique pour l'épitaxie en phase liquide est conçu pour obtenir le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire, garantissant l'uniformité du profil thermique. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés, assurant une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce de plaquette.

Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre suscepteur cylindrique pour l'épitaxie en phase liquide.

Paramètres du suscepteur cylindrique pour l'épitaxie en phase liquide

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du suscepteur cylindrique pour l'épitaxie en phase liquide

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur revêtu de carbure de silicium utilisé pour la croissance de monocristaux a une planéité de surface très élevée.

- Réduit la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliore efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.