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Suscepteur en baril pour l'épitaxie en phase liquide

Suscepteur en baril pour l'épitaxie en phase liquide

Si vous avez besoin d'un suscepteur en graphite capable de fonctionner de manière fiable et constante, même dans les environnements corrosifs et à haute température les plus exigeants, le suscepteur Semicorex Barrel pour épitaxie en phase liquide est le choix idéal. Son revêtement en carbure de silicium offre une excellente conductivité thermique et une excellente répartition de la chaleur, garantissant des performances exceptionnelles dans les applications de fabrication de semi-conducteurs.

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Description du produit

Le suscepteur Semicorex Barrel pour épitaxie en phase liquide est le choix idéal pour les applications de fabrication de semi-conducteurs qui nécessitent une résistance élevée à la chaleur et à la corrosion. Son revêtement SiC de haute pureté et sa conductivité thermique exceptionnelle offrent des propriétés supérieures de protection et de répartition de la chaleur, garantissant des performances fiables et constantes, même dans les environnements les plus difficiles.

Notre suscepteur en baril pour l'épitaxie en phase liquide est conçu pour obtenir le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire, garantissant ainsi l'uniformité du profil thermique. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés, garantissant ainsi une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce.

Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre suscepteur en baril pour l'épitaxie en phase liquide.


Paramètres du suscepteur en baril pour l'épitaxie en phase liquide

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD

Structure en cristal

Phase β du FCC

Densité

g/cm³

3.21

Dureté

Dureté Vickers

2500

Taille d'un grain

µm

2~10

Pureté chimique

%

99.99995

Capacité thermique

J kg-1 K-1

640

Température de sublimation

2700

Force de flexion

MPa (RT 4 points)

415

Module d'Young

Gpa (courbure 4pt, 1300℃)

430

Expansion thermique (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivité thermique

(W/mK)

300


Caractéristiques du suscepteur en baril pour l'épitaxie en phase liquide

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur recouvert de carbure de silicium utilisé pour la croissance monocristalline présente une très grande planéité de surface.

- Réduisez la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliorez efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.






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