Suscepteur de baril à revêtement CVD SiC

Le suscepteur cylindrique à revêtement SiC CVD Semicorex est un composant méticuleusement conçu, adapté aux processus avancés de fabrication de semi-conducteurs, en particulier l'épitaxie. Construit avec précision et innovation, ce suscepteur cylindrique à revêtement CVD SiC est conçu pour faciliter la croissance épitaxiale de matériaux semi-conducteurs sur des tranches avec une efficacité et une fiabilité inégalées.

Le noyau du suscepteur CVD SiC Coated Barrel se trouve une structure en graphite robuste, réputée pour sa conductivité thermique et sa résistance mécanique exceptionnelles. Cette base en graphite sert de base solide au suscepteur, garantissant stabilité et longévité dans les conditions exigeantes des réacteurs épitaxiaux.

L'amélioration du substrat en graphite est un revêtement de pointe de carbure de silicium (SiC) par dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Ce revêtement SiC spécialisé est méticuleusement appliqué par un processus de dépôt chimique en phase vapeur, résultant en une couche uniforme et durable qui recouvre la surface du graphite. Le revêtement CVD SiC du suscepteur de baril revêtu de CVD SiC présente une myriade d'avantages essentiels pour les processus épitaxiaux.

Le revêtement CVD SiC du suscepteur de baril revêtu de CVD SiC présente des propriétés thermiques exceptionnelles, notamment une conductivité thermique et une stabilité thermique élevées. Ces propriétés jouent un rôle déterminant pour assurer un chauffage uniforme et précis des tranches semi-conductrices pendant la croissance épitaxiale, favorisant ainsi un dépôt de couche cohérent et minimisant les défauts dans le produit final.

La conception en forme de tonneau du suscepteur cylindrique à revêtement CVD SiC est optimisée pour un chargement et un déchargement efficaces des tranches, ainsi qu'une répartition optimale de la chaleur sur la surface de la tranche. Cette caractéristique de conception, associée aux performances supérieures du revêtement CVD SiC, garantit un contrôle de processus et un rendement inégalés dans les opérations de fabrication épitaxiale.