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Anneaux de mise au point durables pour le traitement des semi-conducteurs

Anneaux de mise au point durables pour le traitement des semi-conducteurs

Les bagues de mise au point durables Semicorex pour le traitement des semi-conducteurs sont conçues pour résister aux environnements extrêmes des chambres de gravure au plasma utilisées dans le traitement des semi-conducteurs. Nos bagues de mise au point sont fabriquées en graphite de haute pureté recouvert d'un revêtement en carbure de silicium (SiC) dense et résistant à l'usure. Le revêtement SiC présente des propriétés élevées de résistance à la corrosion et à la chaleur, ainsi qu'une excellente conductivité thermique. Nous appliquons du SiC en couches minces sur le graphite en utilisant le procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) pour améliorer la durée de vie de nos bagues de mise au point.

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Description du produit

Nos bagues de mise au point durables pour le traitement des semi-conducteurs sont conçues pour améliorer l'uniformité de la gravure autour du bord ou du périmètre de la tranche, minimisant la contamination et la maintenance imprévue. Ils sont très stables pour le recuit thermique rapide (RTA), le traitement thermique rapide (RTP) et le nettoyage chimique agressif.

Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de bagues de mise au point durables de haute qualité et rentables pour le traitement des semi-conducteurs, nous donnons la priorité à la satisfaction du client et fournissons des solutions rentables. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme, offrant des produits de haute qualité et un service client exceptionnel.

Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur nos bagues de mise au point durables pour le traitement des semi-conducteurs.


Paramètres des bagues de mise au point durables pour le traitement des semi-conducteurs

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD

Structure en cristal

Phase β FCC

Densité

g/cm³

3.21

Dureté

Dureté Vickers

2500

Taille d'un grain

μm

2~10

Pureté chimique

%

99.99995

Capacité thermique

J·kg-1 ·K-1

640

Température de sublimation

2700

Force Felexurale

MPa (RT 4 points)

415

Module de Young

Gpa (pli 4pt, 1300â)

430

Dilatation Thermique (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivité thermique

(W/mK)

300


Caractéristiques des bagues de mise au point durables pour le traitement des semi-conducteurs

â Graphite haute pureté et revêtement SiC pour une résistance aux trous d'épingle et une durée de vie plus longue.

â Le substrat en graphite et la couche de SiC ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

â Le revêtement SiC est appliqué en couches minces pour améliorer la durée de vie.



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