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Bagues de focalisation durables pour le traitement des semi-conducteurs

Les bagues de focalisation durables Semicorex pour le traitement des semi-conducteurs sont conçues pour résister aux environnements extrêmes des chambres de gravure au plasma utilisées dans le traitement des semi-conducteurs. Nos bagues de mise au point sont fabriquées en graphite de haute pureté recouvert d'un revêtement dense et résistant à l'usure en carbure de silicium (SiC). Le revêtement SiC présente des propriétés élevées de résistance à la corrosion et à la chaleur, ainsi qu'une excellente conductivité thermique. Nous appliquons du SiC en fines couches sur le graphite en utilisant le procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) pour améliorer la durée de vie de nos bagues de mise au point.

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Description du produit

Nos bagues de focalisation durables pour le traitement des semi-conducteurs sont conçues pour améliorer l'uniformité de la gravure autour du bord ou du périmètre de la tranche, minimisant ainsi la contamination et la maintenance imprévue. Ils sont très stables pour le recuit thermique rapide (RTA), le traitement thermique rapide (RTP) et le nettoyage chimique agressif.

Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de bagues de focalisation durables de haute qualité et rentables pour le traitement des semi-conducteurs, nous accordons la priorité à la satisfaction du client et fournissons des solutions rentables. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme, en fournissant des produits de haute qualité et un service client exceptionnel.

Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur nos bagues de focalisation durables pour le traitement des semi-conducteurs.

Paramètres des bagues de mise au point durables pour le traitement des semi-conducteurs

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure cristalline	Phase β du FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille des grains	µm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J kg-1 K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force de flexion	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (courbure 4pt, 1300℃)	430
Expansion thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques des bagues de mise au point durables pour le traitement des semi-conducteurs

● Revêtement en graphite et SiC de haute pureté pour une résistance aux sténopés et une durée de vie plus longue.

● Le substrat en graphite et la couche de SiC ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

● Le revêtement SiC est appliqué en couches minces pour améliorer la durée de vie.

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