Les bagues de mise au point durables Semicorex pour le traitement des semi-conducteurs sont conçues pour résister aux environnements extrêmes des chambres de gravure au plasma utilisées dans le traitement des semi-conducteurs. Nos bagues de mise au point sont fabriquées en graphite de haute pureté recouvert d'un revêtement en carbure de silicium (SiC) dense et résistant à l'usure. Le revêtement SiC présente des propriétés élevées de résistance à la corrosion et à la chaleur, ainsi qu'une excellente conductivité thermique. Nous appliquons du SiC en couches minces sur le graphite en utilisant le procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) pour améliorer la durée de vie de nos bagues de mise au point.
Nos bagues de mise au point durables pour le traitement des semi-conducteurs sont conçues pour améliorer l'uniformité de la gravure autour du bord ou du périmètre de la tranche, minimisant la contamination et la maintenance imprévue. Ils sont très stables pour le recuit thermique rapide (RTA), le traitement thermique rapide (RTP) et le nettoyage chimique agressif.
Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de bagues de mise au point durables de haute qualité et rentables pour le traitement des semi-conducteurs, nous donnons la priorité à la satisfaction du client et fournissons des solutions rentables. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme, offrant des produits de haute qualité et un service client exceptionnel.
Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur nos bagues de mise au point durables pour le traitement des semi-conducteurs.
Paramètres des bagues de mise au point durables pour le traitement des semi-conducteurs
Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC |
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Propriétés SiC-CVD |
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Structure en cristal |
Phase β FCC |
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Densité |
g/cm³ |
3.21 |
Dureté |
Dureté Vickers |
2500 |
Taille d'un grain |
μm |
2~10 |
Pureté chimique |
% |
99.99995 |
Capacité thermique |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Température de sublimation |
℃ |
2700 |
Force Felexurale |
MPa (RT 4 points) |
415 |
Module de Young |
Gpa (pli 4pt, 1300â) |
430 |
Dilatation Thermique (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Conductivité thermique |
(W/mK) |
300 |
Caractéristiques des bagues de mise au point durables pour le traitement des semi-conducteurs
â Graphite haute pureté et revêtement SiC pour une résistance aux trous d'épingle et une durée de vie plus longue.
â Le substrat en graphite et la couche de SiC ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.
â Le revêtement SiC est appliqué en couches minces pour améliorer la durée de vie.