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Effecteur final pour la manipulation des plaquettes

Effecteur final pour la manipulation des plaquettes

Les effecteurs finaux Semicorex pour la manipulation des plaquettes sont dimensionnellement précis et thermiquement stables pour le traitement des plaquettes. Nous sommes fabricant et fournisseur d'éléments de revêtement en carbure de silicium depuis de nombreuses années. Nos produits ont un bon avantage de prix et couvrent la plupart des marchés européens et américains. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

Les effecteurs terminaux Semicorex pour la manipulation des plaquettes sont dimensionnellement précis et thermiquement stables, tout en ayant un film de revêtement CVD SiC lisse et résistant à l'abrasion pour manipuler les plaquettes en toute sécurité sans endommager les dispositifs ni produire de contamination particulaire, ce qui peut déplacer les plaquettes semi-conductrices entre les positions dans l'équipement de traitement des plaquettes et les supports. avec précision et efficacité. Notre effecteur final de revêtement en carbure de silicium (SiC) de haute pureté pour la manipulation des plaquettes offre une résistance thermique supérieure, une uniformité thermique uniforme pour une épaisseur et une résistance constantes de la couche épi, ainsi qu'une résistance chimique durable.

Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de produits rentables et de haute qualité à nos clients. Notre effecteur final pour la manipulation des plaquettes présente un avantage en termes de prix et est exporté vers de nombreux marchés européens et américains. Nous visons à être votre partenaire à long terme, en fournissant des produits de qualité constante et un service client exceptionnel.


Paramètres de l'effecteur final pour la manipulation des plaquettes

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD

Structure cristalline

Phase β du FCC

Densité

g/cm³

3.21

Dureté

Dureté Vickers

2500

Taille des grains

µm

2~10

Pureté chimique

%

99.99995

Capacité thermique

J kg-1 K-1

640

Température de sublimation

2700

Force de flexion

MPa (RT 4 points)

415

Module de Young

Gpa (courbure 4pt, 1300℃)

430

Expansion thermique (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivité thermique

(W/mK)

300


Caractéristiques de l'effecteur final pour la manipulation des plaquettes

Revêtement SiC de haute pureté utilisé par la méthode CVD

Résistance thermique et uniformité thermique supérieures

Cristal SiC fin recouvert pour une surface lisse

Haute durabilité contre le nettoyage chimique

Le matériau est conçu de manière à éviter les fissures et le délaminage.




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