L'effecteur d'extrémité Semicorex pour la manipulation de plaquettes est dimensionnellement précis et thermiquement stable pour le traitement des plaquettes. Nous sommes fabricant et fournisseur d'éléments de revêtement en carbure de silicium depuis de nombreuses années. Nos produits ont un bon avantage de prix et couvrent la plupart des marchés européens et américains. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.
L'effecteur d'extrémité Semicorex pour la manipulation de plaquettes est dimensionnellement précis et thermiquement stable, tout en ayant un film de revêtement CVD SiC lisse et résistant à l'abrasion pour manipuler les plaquettes en toute sécurité sans endommager les dispositifs ou produire une contamination particulaire, ce qui peut déplacer les plaquettes semi-conductrices entre les positions dans l'équipement de traitement de plaquettes et les supports avec précision et efficacité. Notre effecteur d'extrémité de revêtement en carbure de silicium (SiC) de haute pureté pour la manipulation de plaquettes offre une résistance à la chaleur supérieure, une uniformité thermique uniforme pour une épaisseur et une résistance constantes de la couche épi, ainsi qu'une résistance chimique durable.
Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de produits de haute qualité et rentables à nos clients. Notre effecteur final pour la manipulation de plaquettes a un avantage de prix et est exporté vers de nombreux marchés européens et américains. Nous visons à être votre partenaire à long terme, offrant des produits de qualité constante et un service client exceptionnel.
Paramètres de l'effecteur terminal pour la manipulation des plaquettes
Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC |
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Propriétés SiC-CVD |
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Structure en cristal |
Phase β FCC |
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Densité |
g/cm³ |
3.21 |
Dureté |
Dureté Vickers |
2500 |
Taille d'un grain |
μm |
2~10 |
Pureté chimique |
% |
99.99995 |
Capacité thermique |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Température de sublimation |
℃ |
2700 |
Force Felexurale |
MPa (RT 4 points) |
415 |
Module de Young |
Gpa (pli 4pt, 1300â) |
430 |
Dilatation Thermique (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Conductivité thermique |
(W/mK) |
300 |
Caractéristiques de l'effecteur terminal pour la manipulation de plaquettes
Revêtement SiC haute pureté utilisé méthode CVD
Résistance à la chaleur supérieure et uniformité thermique
Cristal de SiC fin enduit pour une surface lisse
Haute durabilité contre le nettoyage chimique
Le matériau est conçu pour éviter les fissures et le délaminage.