Bateau de plaquette épitaxiale

Semicorex fournit des bateaux à plaquettes, des socles et des supports de plaquettes personnalisés pour les configurations verticales/colonnes et horizontales. Nous sommes fabricant et fournisseur de film de revêtement en carbure de silicium depuis de nombreuses années. Notre Epitaxial Wafer Boat a un bon avantage de prix et couvre la plupart des marchés européens et américains. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

Semicorex Epitaxial Wafer Boat, la solution parfaite pour le traitement des plaquettes dans la fabrication de semi-conducteurs. Nos bateaux à galettes épitaxiales sont fabriqués à partir de céramique de carbure de silicium (SiC) de haute qualité qui offre une résistance supérieure aux températures élevées et à la corrosion chimique.
Notre bateau à wafer épitaxial en carbure de silicium a une surface lisse qui minimise la génération de particules, assurant le plus haut niveau de pureté pour vos produits. Avec une excellente conductivité thermique et une résistance mécanique supérieure, nos bateaux fournissent des résultats cohérents et fiables.
Nos bateaux à wafers épitaxiaux sont compatibles avec tous les équipements de traitement de wafers standard et peuvent résister à des températures allant jusqu'à 1600°C. Ils sont faciles à manipuler et à nettoyer, ce qui en fait un choix rentable et efficace pour vos besoins de fabrication.
Notre équipe d'experts s'engage à fournir la meilleure qualité et le meilleur service. Nous proposons des conceptions personnalisées pour répondre à vos besoins spécifiques, et nos produits sont soutenus par notre programme d'assurance qualité.

Paramètres du bateau à galettes épitaxiales

Propriétés techniques
Indice	Unité	Valeur
Nom du matériau		Carbure de silicium fritté par réaction	Carbure de silicium fritté sans pression	Carbure de silicium recristallisé
Composition		RBSiC	SSiC	R-SiC
Densité apparente	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2.60-2.70
Résistance à la flexion	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C)90-100(1400°C)
Résistance à la compression	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Dureté	Knoop	2700	2800	/
Ténacité de rupture	MPa m1/2	4.5	4	/
Conductivité thermique	W/m.k	95	120	23
Coefficient de dilatation thermique	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Chaleur spécifique	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
Température maximale dans l'air	℃	1200	1500	1600
Module d'élasticité	Gpa	360	410	240

La différence entre SSiC et RBSiC :

1. Le processus de frittage est différent. RBSiC consiste à infiltrer du Si libre dans du carbure de silicium à basse température, SSiC est formé par retrait naturel à 2100 degrés.

2. SSiC a une surface plus lisse, une densité plus élevée et une résistance plus élevée, pour certains joints avec des exigences de surface plus strictes, SSiC sera meilleur.

3. Différents temps d'utilisation sous différents PH et températures, SSiC est plus long que RBSiC

Caractéristiques du bateau à plaquettes épitaxiales en carbure de silicium

SiC haute pureté revêtu par MOCVD
Résistance à la chaleur supérieure et uniformité thermique
Cristal de SiC fin enduit pour une surface lisse
Haute durabilité contre le nettoyage chimique
Le matériau est conçu pour éviter les fissures et le délaminage.