Porte-support de gravure pour gravure PSS

Le support de support de gravure de Semicorex pour la gravure PSS est conçu pour les applications d'équipement d'épitaxie les plus exigeantes. Notre support en graphite ultra-pur peut résister aux environnements difficiles, aux températures élevées et aux nettoyages chimiques agressifs. Le support revêtu de SiC présente d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur, une conductivité thermique élevée et est économique. Nos produits sont largement utilisés sur de nombreux marchés européens et américains, et nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

Chez Semicorex, nous avons conçu le porte-support de gravure pour la gravure PSS spécifiquement pour les environnements difficiles requis pour les processus de croissance épitaxiale et de manipulation de tranches. Notre support en graphite ultra-pur est idéal pour les phases de dépôt de couches minces telles que MOCVD, les suscepteurs d'épitaxie, les plates-formes de crêpes ou de satellites, et le traitement de manipulation de plaquettes tel que la gravure. Le support revêtu de SiC présente une résistance élevée à la chaleur et à la corrosion, d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur et une conductivité thermique élevée. Nos produits sont rentables et offrent un bon avantage de prix.

Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre support de support de gravure pour la gravure PSS.

Paramètres du porte-support de gravure pour la gravure PSS

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300