Plaque support de gravure PSS pour semi-conducteur

La plaque support de gravure Semicorex PSS pour semi-conducteurs est spécialement conçue pour les environnements de nettoyage chimique à haute température et difficiles requis pour les processus de croissance épitaxiale et de manipulation de plaquettes. Notre plaque support de gravure PSS ultra-pure pour semi-conducteurs est conçue pour supporter les tranches pendant les phases de dépôt de couches minces comme les suscepteurs MOCVD et d'épitaxie, les plates-formes pancake ou satellite. Notre support revêtu de SiC présente une résistance élevée à la chaleur et à la corrosion, d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur et une conductivité thermique élevée. Nous fournissons des solutions rentables à nos clients et nos produits couvrent de nombreux marchés européens et américains. Semicorex a hâte d'être votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

La plaque support de gravure PSS pour semi-conducteurs de Semicorex est la solution idéale pour les phases de dépôt de couches minces comme le MOCVD, les suscepteurs d'épitaxie, les plates-formes pancake ou satellite, et les traitements de manipulation de plaquettes tels que la gravure. Notre support en graphite ultra pur est conçu pour supporter les plaquettes et résister aux nettoyages chimiques agressifs et aux environnements à haute température. Le support revêtu de SiC présente une résistance élevée à la chaleur et à la corrosion, d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur et une conductivité thermique élevée. Nos produits sont rentables et présentent un bon avantage en termes de prix.

Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre plaque support de gravure PSS pour semi-conducteurs.

Paramètres de la plaque support de gravure PSS pour semi-conducteur

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure cristalline	Phase β du FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille des grains	µm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J kg-1 K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force de flexion	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (courbure 4pt, 1300℃)	430
Expansion thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques de la plaque support de gravure PSS pour semi-conducteur

- Éviter de se décoller et assurer un revêtement sur toutes les surfaces

Résistance à l'oxydation à haute température : Stable à haute température jusqu'à 1600°C

Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température.

Résistance à la corrosion : dureté élevée, surface dense et particules fines.

Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.

- Obtenez le meilleur modèle de flux de gaz laminaire

- Garantir la régularité du profil thermique

- Empêcher toute contamination ou diffusion d'impuretés

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