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Anneau d'entrée de gaz pour équipement semi-conducteur

Anneau d'entrée de gaz pour équipement semi-conducteur

Semicorex est un fabricant et fournisseur à grande échelle de suscepteur en graphite revêtu de carbure de silicium en Chine. Nous nous concentrons sur les industries des semi-conducteurs telles que les couches de carbure de silicium et les semi-conducteurs d'épitaxie. Notre anneau d'entrée de gaz pour équipements semi-conducteurs présente un bon avantage en termes de prix et couvre de nombreux marchés européens et américains. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

L'anneau d'entrée de gaz Semicorex pour équipement semi-conducteur est revêtu de SiC, qui est un revêtement de carbure de silicium (SiC) dense et résistant à l'usure. Il a des propriétés élevées de résistance à la corrosion et à la chaleur ainsi qu'une excellente conductivité thermique. Nous appliquons du SiC en couches minces sur le graphite en utilisant le procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD).

Notre anneau d'entrée de gaz pour équipement semi-conducteur est conçu pour obtenir le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire, garantissant l'uniformité du profil thermique. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés, assurant une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce de plaquette.

Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre anneau d'entrée de gaz pour équipement semi-conducteur.


Paramètres de l'anneau d'entrée de gaz pour les équipements semi-conducteurs

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD

Structure en cristal

Phase β FCC

Densité

g/cm³

3.21

Dureté

Dureté Vickers

2500

Taille d'un grain

μm

2~10

Pureté chimique

%

99.99995

Capacité thermique

J·kg-1 ·K-1

640

Température de sublimation

2700

Force Felexurale

MPa (RT 4 points)

415

Module de Young

Gpa (pli 4pt, 1300â)

430

Dilatation Thermique (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivité thermique

(W/mK)

300


Caractéristiques de l'anneau d'entrée de gaz pour équipement semi-conducteur

â Graphite recouvert de SiC de haute pureté

â Résistance à la chaleur supérieure et uniformité thermique

â Cristal SiC fin enduit pour une surface lisse

â Haute durabilité contre le nettoyage chimique

â Le matériau est conçu pour éviter les fissures et le délaminage.




Balises actives: Anneau d'entrée de gaz pour équipement semi-conducteur, Chine, fabricants, fournisseurs, usine, personnalisé, en vrac, avancé, durable

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