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Anneau d'entrée de gaz pour équipement semi-conducteur

Semicorex est un fabricant et fournisseur à grande échelle de suscepteurs en graphite recouvert de carbure de silicium en Chine. Nous nous concentrons sur les industries des semi-conducteurs telles que les couches de carbure de silicium et les semi-conducteurs épitaxiés. Notre anneau d'entrée de gaz pour équipements semi-conducteurs présente un bon avantage en termes de prix et couvre de nombreux marchés européens et américains. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

L'anneau d'entrée de gaz Semicorex pour équipement semi-conducteur est recouvert de SiC, qui est un revêtement en carbure de silicium (SiC) dense et résistant à l'usure. Il possède des propriétés élevées de résistance à la corrosion et à la chaleur ainsi qu’une excellente conductivité thermique. Nous appliquons du SiC en couches minces sur le graphite en utilisant le procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD).

Notre anneau d'entrée de gaz pour équipements semi-conducteurs est conçu pour obtenir le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire, garantissant ainsi l'uniformité du profil thermique. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés, garantissant ainsi une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce.

Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre bague d'entrée de gaz pour équipements semi-conducteurs.

Paramètres de l'anneau d'entrée de gaz pour équipement semi-conducteur

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure cristalline	Phase β du FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille des grains	µm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J kg-1 K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force de flexion	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (courbure 4pt, 1300℃)	430
Expansion thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques de l'anneau d'entrée de gaz pour équipement semi-conducteur

● Graphite revêtu de SiC de haute pureté

● Résistance thermique et uniformité thermique supérieures

● Cristal SiC fin recouvert pour une surface lisse

● Haute durabilité contre le nettoyage chimique

● Le matériau est conçu de manière à éviter les fissures et le délaminage.

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