Le système de réacteur d'épitaxie en phase liquide (LPE) Semicorex est un produit innovant qui offre d'excellentes performances thermiques, un profil thermique uniforme et une adhérence supérieure du revêtement. Sa haute pureté, sa résistance à l'oxydation à haute température et sa résistance à la corrosion en font un choix idéal pour une utilisation dans l'industrie des semi-conducteurs. Ses options personnalisables et sa rentabilité en font un produit hautement compétitif sur le marché.
Notre système de réacteur d'épitaxie en phase liquide (LPE) est un produit hautement fiable et durable qui offre un excellent rapport qualité-prix. Sa résistance à l'oxydation à haute température, son profil thermique uniforme et sa prévention de la contamination le rendent idéal pour la croissance de couches épitaxiales de haute qualité. Ses faibles besoins de maintenance et sa personnalisation en font un produit hautement compétitif sur le marché.
Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de produits rentables et de haute qualité à nos clients. Notre système de réacteur d'épitaxie en phase liquide (LPE) présente un avantage en termes de prix et est exporté vers de nombreux marchés européens et américains. Nous visons à être votre partenaire à long terme, en fournissant des produits de qualité constante et un service client exceptionnel.
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Paramètres du système de réacteur d'épitaxie en phase liquide (LPE)
Principales spécifications du revêtement CVD-SIC |
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Propriétés SiC-CVD |
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Structure cristalline |
Phase β du FCC |
|
Densité |
g/cm³ |
3.21 |
Dureté |
Dureté Vickers |
2500 |
Taille des grains |
µm |
2~10 |
Pureté chimique |
% |
99.99995 |
Capacité thermique |
J kg-1 K-1 |
640 |
Température de sublimation |
℃ |
2700 |
Force de flexion |
MPa (RT 4 points) |
415 |
Module de Young |
Gpa (courbure 4pt, 1300℃) |
430 |
Expansion thermique (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Conductivité thermique |
(W/mK) |
300 |
Caractéristiques du système de réacteur d'épitaxie en phase liquide (LPE)
- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.
- Le suscepteur recouvert de carbure de silicium utilisé pour la croissance monocristalline présente une très grande planéité de surface.
- Réduisez la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliorez efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.
- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.
- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.