La plaque de support de satellite Semicorex MOCVD est un support exceptionnel conçu pour être utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs. Sa grande pureté, son excellente résistance à la corrosion et son profil thermique uniforme en font un excellent choix pour ceux qui recherchent un support capable de résister aux exigences du processus de fabrication des semi-conducteurs. Nous nous engageons à fournir à nos clients des produits de haute qualité répondant à leurs exigences spécifiques. Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre plaque de support satellite MOCVD et comment nous pouvons vous aider avec vos besoins en matière de fabrication de semi-conducteurs.
La plaque de support satellite Semicorex MOCVD est un support de haute qualité conçu pour être utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs. Notre produit est recouvert d'un carbure de silicium de haute pureté sur graphite, ce qui le rend très résistant à l'oxydation à des températures élevées allant jusqu'à 1 600 °C. Le processus de dépôt chimique en phase vapeur CVD utilisé dans sa fabrication garantit une grande pureté et une excellente résistance à la corrosion, ce qui le rend idéal pour une utilisation dans les environnements de salle blanche.
Les caractéristiques de notre plaque de support satellite MOCVD sont impressionnantes. Sa surface dense et ses fines particules améliorent sa résistance à la corrosion, le rendant résistant aux acides, aux alcalis, au sel et aux réactifs organiques. Ce support est très stable, même dans des environnements extrêmes, ce qui en fait un excellent choix pour ceux qui recherchent un support capable de résister aux exigences de l'industrie des semi-conducteurs.
Paramètres de la plaque de support de satellite MOCVD
Principales spécifications du revêtement CVD-SIC |
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Propriétés SiC-CVD |
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Structure cristalline |
Phase β du FCC |
|
Densité |
g/cm³ |
3.21 |
Dureté |
Dureté Vickers |
2500 |
Taille des grains |
µm |
2~10 |
Pureté chimique |
% |
99.99995 |
Capacité thermique |
J kg-1 K-1 |
640 |
Température de sublimation |
℃ |
2700 |
Force de flexion |
MPa (RT 4 points) |
415 |
Module de Young |
Gpa (courbure 4pt, 1300℃) |
430 |
Expansion thermique (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Conductivité thermique |
(W/mK) |
300 |
Caractéristiques du suscepteur en graphite revêtu de SiC pour MOCVD
- Éviter de se décoller et assurer un revêtement sur toutes les surfaces
Résistance à l'oxydation à haute température : Stable à haute température jusqu'à 1600°C
Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température.
Résistance à la corrosion : dureté élevée, surface dense et particules fines.
Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
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