Plaque porte-satellites MOCVD

La plaque de support de satellite Semicorex MOCVD est un support exceptionnel conçu pour être utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs. Sa grande pureté, son excellente résistance à la corrosion et même son profil thermique en font un excellent choix pour ceux qui recherchent un support capable de résister aux exigences du processus de fabrication des semi-conducteurs. Nous nous engageons à fournir à nos clients des produits de haute qualité qui répondent à leurs exigences spécifiques. Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre plaque de support de satellite MOCVD et comment nous pouvons vous aider avec vos besoins de fabrication de semi-conducteurs.

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Description du produit

La plaque de support de satellite Semicorex MOCVD est un support de haute qualité conçu pour être utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs. Notre produit est revêtu d'un carbure de silicium de haute pureté sur graphite, ce qui le rend très résistant à l'oxydation à haute température jusqu'à 1600°C. Le procédé de dépôt chimique en phase vapeur CVD utilisé dans sa fabrication garantit une grande pureté et une excellente résistance à la corrosion, ce qui le rend idéal pour une utilisation dans les environnements de salle blanche.
Les caractéristiques de notre plaque de support de satellite MOCVD sont impressionnantes. Sa surface dense et ses particules fines améliorent sa résistance à la corrosion, ce qui le rend résistant aux acides, aux alcalis, au sel et aux réactifs organiques. Ce support est très stable, même dans des environnements extrêmes, ce qui en fait un excellent choix pour ceux qui recherchent un support capable de résister aux exigences de l'industrie des semi-conducteurs.

Paramètres de la plaque de support de satellite MOCVD

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du suscepteur en graphite revêtu de SiC pour MOCVD

- Éviter le décollement et assurer le revêtement sur toutes les surfaces
Résistance à l'oxydation à haute température : Stable à haute température jusqu'à 1600°C
Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température.
Résistance à la corrosion : dureté élevée, surface dense et particules fines.
Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
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- Empêcher toute contamination ou diffusion d'impuretés