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Plaque support satellite MOCVD

Plaque support satellite MOCVD

La plaque de support de satellite Semicorex MOCVD est un support exceptionnel conçu pour être utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs. Sa grande pureté, son excellente résistance à la corrosion et son profil thermique uniforme en font un excellent choix pour ceux qui recherchent un support capable de résister aux exigences du processus de fabrication des semi-conducteurs. Nous nous engageons à fournir à nos clients des produits de haute qualité répondant à leurs exigences spécifiques. Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre plaque de support satellite MOCVD et comment nous pouvons vous aider avec vos besoins en matière de fabrication de semi-conducteurs.

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Description du produit

La plaque de support satellite Semicorex MOCVD est un support de haute qualité conçu pour être utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs. Notre produit est recouvert d'un carbure de silicium de haute pureté sur graphite, ce qui le rend très résistant à l'oxydation à des températures élevées allant jusqu'à 1 600 °C. Le processus de dépôt chimique en phase vapeur CVD utilisé dans sa fabrication garantit une grande pureté et une excellente résistance à la corrosion, ce qui le rend idéal pour une utilisation dans les environnements de salle blanche.
Les caractéristiques de notre plaque de support satellite MOCVD sont impressionnantes. Sa surface dense et ses fines particules améliorent sa résistance à la corrosion, le rendant résistant aux acides, aux alcalis, au sel et aux réactifs organiques. Ce support est très stable, même dans des environnements extrêmes, ce qui en fait un excellent choix pour ceux qui recherchent un support capable de résister aux exigences de l'industrie des semi-conducteurs.


Paramètres de la plaque de support de satellite MOCVD

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD

Structure cristalline

Phase β du FCC

Densité

g/cm³

3.21

Dureté

Dureté Vickers

2500

Taille des grains

µm

2~10

Pureté chimique

%

99.99995

Capacité thermique

J kg-1 K-1

640

Température de sublimation

2700

Force de flexion

MPa (RT 4 points)

415

Module de Young

Gpa (courbure 4pt, 1300℃)

430

Expansion thermique (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivité thermique

(W/mK)

300


Caractéristiques du suscepteur en graphite revêtu de SiC pour MOCVD

- Éviter de se décoller et assurer un revêtement sur toutes les surfaces
Résistance à l'oxydation à haute température : Stable à haute température jusqu'à 1600°C
Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température.
Résistance à la corrosion : dureté élevée, surface dense et particules fines.
Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
- Obtenez le meilleur modèle de flux de gaz laminaire
- Garantir la régularité du profil thermique
- Empêcher toute contamination ou diffusion d'impuretés




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