Effecteur terminal SiC

Semicorex SiC End Effector est fabriqué à partir de graphite Silicon Carbide Coating (SiC), le revêtement est appliqué par une méthode CVD sur des qualités spécifiques de graphite haute densité, de sorte qu'il peut fonctionner dans le four à haute température avec plus de 3000 ° C dans une atmosphère inerte, 2200°C sous vide.

Notre effecteur terminal SiC est conçu pour obtenir le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire, garantissant l'uniformité du profil thermique. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés, assurant une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce de plaquette.

Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre effecteur terminal SiC.

Paramètres de l'effecteur terminal SiC

Caractéristiques de l'effecteur terminal SiC

- Éviter le décollement et assurer le revêtement sur toutes les surfaces

Résistance à l'oxydation à haute température : Stable à haute température jusqu'à 1600°C

Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température.

Résistance à la corrosion : dureté élevée, surface dense et particules fines.

Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.

- Obtenez le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire

- Garantir l'uniformité du profil thermique

- Empêcher toute contamination ou diffusion d'impuretés