Effecteur final SiC

Semicorex est un fabricant et fournisseur à grande échelle de suscepteurs en graphite recouvert de carbure de silicium en Chine. Nous nous concentrons sur les industries des semi-conducteurs telles que les couches de carbure de silicium et les semi-conducteurs épitaxiés. Notre effecteur final SiC présente un bon avantage en termes de prix et couvre de nombreux marchés européens et américains. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

L'effecteur final Semicorex SiC est fabriqué à partir de graphite avec revêtement en carbure de silicium (SiC), le revêtement est appliqué par une méthode CVD sur des qualités spécifiques de graphite haute densité, de sorte qu'il peut fonctionner dans un four à haute température à plus de 3 000 °C dans une atmosphère inerte. 2200°C sous vide.

Notre effecteur final SiC est conçu pour obtenir le meilleur modèle de flux de gaz laminaire, garantissant ainsi l'uniformité du profil thermique. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés, garantissant ainsi une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce.

Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre effecteur final SiC.

Paramètres de l'effecteur final SiC

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure cristalline	Phase β du FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille des grains	µm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J kg-1 K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force de flexion	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (courbure 4pt, 1300℃)	430
Expansion thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300