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Poudre de carbure de silicium de type N

Poudre de carbure de silicium de type N

La poudre de carbure de silicium (SiC) de type N Semicorex est un matériau SiC dopé de haute pureté spécialement conçu pour les applications avancées de croissance cristalline. Semicorex s'engage à fournir des produits de qualité à des prix compétitifs, nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

La poudre de carbure de silicium (SiC) de type N Semicorex est un matériau SiC dopé de haute pureté spécialement conçu pour les applications avancées de croissance cristalline. Cette poudre de carbure de silicium de type N se caractérise par ses propriétés électriques supérieures et son intégrité structurelle, ce qui en fait un choix idéal pour la production de cristaux de carbure de silicium utilisés dans divers dispositifs semi-conducteurs hautes performances.

La poudre de carbure de silicium de type N est dopée à l'azote (N), qui introduit des électrons libres supplémentaires dans le réseau cristallin du SiC, améliorant ainsi sa conductivité électrique. Ce dopage de type N est crucial pour les applications nécessitant des propriétés électroniques précises. La poudre de carbure de silicium de type N est soumise à des processus de purification rigoureux pour atteindre un niveau de pureté élevé, minimisant ainsi la présence d'impuretés susceptibles d'affecter le processus de croissance cristalline et les performances du produit final.

La poudre de carbure de silicium de type N Semicorex se compose de particules fines de taille uniforme qui favorisent une croissance cristalline uniforme et améliorent la qualité globale des cristaux de carbure de silicium.

Principalement utilisée dans la croissance des cristaux de carbure de silicium, cette poudre de carbure de silicium de type N fait partie intégrante de la fabrication d'appareils électroniques de haute puissance, de capteurs haute température et de divers composants optoélectroniques. Il convient également à une utilisation en recherche et développement dans l’industrie des semi-conducteurs.


Caractéristiques

Modèle Pureté Densité d'emballage J10 D50 D90
SiC-N-S >6N <1,7g/cm3 100 μm 300 μm 500 μm
SiC-N-M >6N <1,3g/cm3 500 μm 1000 μm 2000 μm
SiC-N-L >6N <1,3g/cm3 1000 μm 1500 μm 2500 μm



Applications:

Croissance de cristaux de carbure de silicium : utilisé comme matériau source pour la croissance de cristaux SiC de haute qualité.

Dispositifs semi-conducteurs : Idéal pour les composants électroniques haute puissance et haute fréquence.

Électronique haute température : convient aux applications qui exigent des performances robustes dans des conditions extrêmes.

Optoélectronique : utilisée dans les appareils qui nécessitent des propriétés thermiques et électriques exceptionnelles.







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